光子学报, 2011, 40 (4): 521, 网络出版: 2011-05-10   

GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算

Theoretical Calculation of Linewidth Enhancement Factor in GaAs Semiconductor Lasers
作者单位
1 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022
2 总装备部装甲兵驻长春地区军事代表室,长春 130103
基本信息
DOI: --
中图分类号: TN241
栏目:
项目基金: 国家自然科学基金(No.60976038)资助和高功率半导体激光国家重点实验室基金项目(No.010602)资助
收稿日期: 2010-11-24
修改稿日期: 2010-12-21
网络出版日期: 2011-05-10
通讯作者: 张帆 (zf_cn@126.com)
备注: --

张帆, 李林, 王勇, 邹永刚, 李占国, 马晓辉, 隋庆学, 刘国军. GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算[J]. 光子学报, 2011, 40(4): 521. ZHANG Fan, LI Lin, WANG Yong, ZOU Yong-gang, LI Zhan-guo, MA Xiao-hui, SUI Qing-xue, LIU Guo-jun. Theoretical Calculation of Linewidth Enhancement Factor in GaAs Semiconductor Lasers[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2011, 40(4): 521.

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