In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响

李国斌; 陈长水; 刘颂豪

doi:doi:10.3788/fgxb20133409.1233

发光学报, 2013, 34 (9): 1233, 网络出版: 2013-09-17

In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响

The Effects of In Content on The LED Photoelectric Performance InGaN/GaN

李国斌 ^*陈长水刘颂豪

作者单位

华南师范大学信息光电子科技学院广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室, 广东广州510631

图 & 表

李国斌, 陈长水, 刘颂豪. In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响[J]. 发光学报, 2013, 34(9): 1233. LI Guo-bin, CHEN Chang-shui, LIU Song-hao. The Effects of In Content on The LED Photoelectric Performance InGaN/GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(9): 1233.