红外与毫米波学报, 2019, 38 (3): 275, 网络出版: 2019-07-20  

数字递变异变赝衬底上2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进

Improved performances of 2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates
师艳辉 1,2,*杨楠楠 1,2马英杰 1,3,4顾溢 1,3,4陈星佑 1龚谦 1张永刚 1,3,4
作者单位
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083
4 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
基本信息
DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.03.003
中图分类号: TN215
栏目:
项目基金: Supported by the National Key Research and Development Program of China (2017YFB0405300, 2016YFB0402400), National Natural Science Foundation of China (61605232, 61675225, 61775228), and the Shanghai Rising-Star Program (17QA1404900)
收稿日期: 2018-10-24
修改稿日期: 2019-03-04
网络出版日期: 2019-07-20
通讯作者: 师艳辉 (yhshi@mail.sim.ac.cn)
备注: --

师艳辉, 杨楠楠, 马英杰, 顾溢, 陈星佑, 龚谦, 张永刚. 数字递变异变赝衬底上2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进[J]. 红外与毫米波学报, 2019, 38(3): 275. SHI Yan-Hui, YANG Nan-Nan, MA Ying-Jie, GU Yi, CHEN Xing-You, GONG Qian, ZHANG Yong-Gang. Improved performances of 2.6 μm In0.83Ga0.17As/InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2019, 38(3): 275.

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