激光与光电子学进展, 2006, 43 (12): 36, 网络出版: 2006-12-30   

g- LiAlO2衬底上生长GaN的研究进展

Developments of GaN Grown on g- LiAlO2Substrate
作者单位
1 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
引用该论文

黄涛华, 邹军, 周健华, 王军, 张连翰, 周圣明. g- LiAlO2衬底上生长GaN的研究进展[J]. 激光与光电子学进展, 2006, 43(12): 36.

黄涛华, 邹军, 周健华, 王军, 张连翰, 周圣明. Developments of GaN Grown on g- LiAlO2Substrate[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2006, 43(12): 36.

引用列表
1、 异质外延Si/GaN应力状态的拉曼光谱测试分析激光与光电子学进展, 2010, 47 (8): 83002

黄涛华, 邹军, 周健华, 王军, 张连翰, 周圣明. g- LiAlO2衬底上生长GaN的研究进展[J]. 激光与光电子学进展, 2006, 43(12): 36. 黄涛华, 邹军, 周健华, 王军, 张连翰, 周圣明. Developments of GaN Grown on g- LiAlO2Substrate[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2006, 43(12): 36.

本文已被 1 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!