发光学报, 2014, 35 (5): 613, 网络出版: 2014-05-06
ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率
Light-output Enhancement of GaN-based Light-emitting Diodes with Surface Textured ITO
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20143505.0613 |
| 中图分类号: | TN304.2+3 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032609)、 广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009,2011A081301004,2012A080302003)、 中央高校基本科研业务费专项资金(2013ZM093,2013ZP0017)资助项目 |
| 收稿日期: | 2013-12-31 |
| 修改稿日期: | 2014-03-14 |
| 网络出版日期: | 2014-05-06 |
| 通讯作者: | 胡金勇 (jyhu_scut@126.com) |
| 备注: | -- |
胡金勇, 黄华茂, 王洪, 胡晓龙. ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率[J]. 发光学报, 2014, 35(5): 613. HU Jin-yong, HUANG Hua-mao, WANG Hong, HU Xiao-long. Light-output Enhancement of GaN-based Light-emitting Diodes with Surface Textured ITO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(5): 613.
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