ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率

胡金勇; 黄华茂; 王洪; 胡晓龙

doi:doi:10.3788/fgxb20143505.0613

发光学报, 2014, 35 (5): 613, 网络出版: 2014-05-06

ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率

Light-output Enhancement of GaN-based Light-emitting Diodes with Surface Textured ITO

胡金勇 ^*黄华茂王洪胡晓龙

作者单位

华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心, 广东广州510640

补充材料

胡金勇, 黄华茂, 王洪, 胡晓龙. ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率[J]. 发光学报, 2014, 35(5): 613. HU Jin-yong, HUANG Hua-mao, WANG Hong, HU Xiao-long. Light-output Enhancement of GaN-based Light-emitting Diodes with Surface Textured ITO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(5): 613.