光电子技术, 2020, 40 (2): 125, 网络出版: 2020-08-13  

黑硅反射率对太阳能电池电性能的影响 下载: 714次

Effect of Black Silicon Reflectivity on the Electrical Properties of Solar Cells
作者单位
Yingli Group Co. , Ltd. , Baoding Hebei 071000,CHN
摘要
多晶黑硅电池较传统酸制绒生产的电池效率有明显的提升。黑硅技术能很大程度地降低硅片表面反射率,从而增加了光的吸收,提升了太阳能电池的转换效率。反射率用D?8绒面反射仪测量,选取反射率为14.5%、16.5%、18.5%的三组电池片,比较绒面形貌和电池参数。实验结果表明:反射率为16.5%的一组短路电流明显高于其他两组,转换效率较其他两组高0.1%以上。
Abstract
Polycrystalline black silicon has significantly improved the efficiency of the cells. The black silicon technology can greatly reduce the surface reflectivity of silicon wafers, thereby increase the absorption of light and improve the conversion efficiency of solar cells[1].The reflectivity was measured with D-8 velvet reflector, and three groups of samples with the reflectivity of 14.5%, 16.5%, and 18.5% were selected to be compared in the topography of the fluff surface and electrical parameters. The results show that the short-circuit current of the samples with the reflectivity of 16.5% is higher than that of the other two groups, and the conversion efficiency is also higher than that of the others.

1 引 言

黑硅,也称湿法黑硅,是由肉眼观察硅片表面呈黑色而得名。近年来,随着光伏行业的快速发展,如何提高太阳能电池转换效率和降低生产成本成为关注的焦点。传统多晶硅太阳能电池的生产主要流程为:酸制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结。多晶硅湿法黑硅太阳能电池的生产主要流程为纳米绒面制备(或称湿法黑硅)、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结[2]。黑硅纳米绒面制备采用槽式设备,经过碱抛、沉银、挖孔、脱银、扩孔等工艺处理后完成纳米绒面制备。

从理论看,反射率越低,光吸收的越多,电池转换效率越高。但黑硅电池受制绒后表面结构的影响,不同反射率对太阳光的吸收波长和吸收强度都有影响,从而影响电池转换效率。文中通过实验验证了反射率控制在16%~17%范围时,太阳能电池转换效率最高。

1 实验过程

实验选用157 mm×157 mm的P型多晶金刚线硅片,厚度为190±10 μm。实验过程如下:选用同一硅锭采用金刚线法切割的硅片,均分3组,每组200片,实验设备采用无锡景裕KINGRICH设备。主要工艺步骤有:①碱抛、②酸洗、③沉银、④挖孔、⑤脱银、⑥扩孔、⑦水洗后烘干。通过改变“④挖孔”和“⑥扩孔”的工艺时间来得到反射率为14.5%、16.5%、18.5%的三组黑硅制绒后硅片。14.5%组挖孔时间为185 s、扩孔时间为190 s,16.5%组挖孔时间为180 s、扩孔时间为200 s,18.5%组挖孔时间为175 s、扩孔时间为210 s。然后三组实验经扩散工艺、湿法刻蚀工艺、链式上镀膜工艺、印刷烧结工艺后完成黑硅太阳能电池制备。以上工艺都采用同一设备,以保证实验结果准确性。最后用halm测试仪在温度25 ℃、AM1.5标准光谱条件下测试黑硅太阳能电池的电池参数。

实验电池片的反射率采用D⁃8绒面反射仪测量,然后用扫描电子显微镜(SEM)测量制绒后硅片的外貌、孔径。

2 实验结果与分析

2.1 湿法黑硅制绒原理及反射率差异分析

湿法黑硅制绒原理是:由于Ag+系统能量远低于硅的价带边缘,Ag+从硅的价带中得到电子,还原成Ag,反应式为Ag++e-→Ag。Ag颗粒沉降在硅表面,在H2O2、HF等混合液作用下,Ag颗粒周围的硅被H2O2氧化腐蚀,同时生成的二氧化硅被HF腐蚀溶解,Ag颗粒下沉,从而实现“挖孔”;脱银处理后在扩孔槽进行化学反应,增加孔洞宽度,从而实现“扩孔”。通过“挖孔”与“扩孔”达到制绒效果,增加受光面积,反应式为2H2O2 +Si→SiO2 +2H2O、SiO2 +6HF→H2SiF6+2H2O[3]。挖孔时间影响挖孔深度,扩孔时间影响孔径大小。

D⁃8绒面反射仪测量反射率可以很直观地区别三组实验的反射率,表1为三组实验片抽测反射率值及均值。由于承载硅片的装置为100片的片盒,实验用KINGRICH设备每个槽体可以同时生产200片,故反射率测试片取片为第一个片盒取第10、40、70片,第二个片盒取第30、60、90片,每组实验测试6片。

表 1. 三组实验片测试反射率值

Table 1. 三组实验片测试反射率值

实验分组硅片1反射率/(%)硅片2反射率/(%)硅片3反射率/(%)硅片4反射率/(%)硅片5反射率/(%)硅片6反射率/(%)均值反射率/(%)
14.5%组14.314.214.814.51514.614.57
16.5%组16.416.216.616.516.816.416.48
18.5%组18.218.718.518.418.518.318.43

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表2为选取各组硅片3在扫描电子显微镜(SEM)下不同倍数的外貌图片。由于碱抛等前处理工艺为同一工艺条件,故三组实验的SEM图500倍和2 000倍肉眼观察区别不大,但是8 000倍条件下,能够看出,挖孔孔径大小有着明显差异,14.5%组孔径约0.45 μm,16.5%组孔径约0.6 μm,18.5%组孔径约0.9 μm,实测孔径数据如表3

表 2. 不同反射率黑硅硅片SEM图

Table 2. 不同反射率黑硅硅片SEM图

实验分组500倍2 000倍8 000倍
14.5%组
16.5%组
18.5%组

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表 3. 不同反射率黑硅硅片孔径值

Table 3. 不同反射率黑硅硅片孔径值

分组孔径1/μm孔径2/μm

孔径

3/μm

孔径4/μm孔径5/μm均值/μm
14.5%组0.4260.4250.4750.4150.5000.448
16.5%组0.5760.6500.525 50.6960.7340.636
18.5%组0.9250.8680.9000.9380.8790.902

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2.2 结果分析

测试电池参数的光源为模拟太阳光。由图1太阳光组成示意图可见,波长在0.4 μm~1.0 μm波段的太阳光辐射能力较强,其中波长在0.45 μm~0.65 μm波段的辐射能力最强。由表3不同反射率黑硅硅片孔径值可见反射率14.5%组孔径约0.4 μm~0.5 μm,反射率16.5%组孔径为0.5 μm~0.75 μm,反射率18.5%组孔径约0.85 μm~0.95 μm。

图 1. 太阳光组成示意图

Fig. 1. Diagram of the composition of the sun's rays

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反射率14.5%组的黑硅硅片因相对16.5%组增加了5秒挖孔时间,挖孔较深,减少了10秒扩孔时间,孔洞孔径偏小;反射率18.5%组的黑硅硅片因相对16.5%组减少了5秒挖孔时间,挖孔较浅,增加了10秒扩孔时间,孔洞孔径偏大。

14.5%组虽然反射率最低,但是孔洞孔径偏小,在0.4 μm~0.5 μm,由光的直线传播和光的衍射原理可知,辐射能力最强波段的太阳光难以通过直线传播进入小孔。虽然部分光可以通过衍射照到孔内,但是强度明显降低,使光的吸收利用率降低[4];且孔洞过深会导致后续磷扩散的不均匀和表面杂质浓度较高,底部附着的银颗粒很难被彻底清洗干净,成为电池中光生电子⁃空穴对的复合中心[5] 。18.5%组挖孔浅、孔洞大,反射率过高,太阳光不能被充分的吸收利用,光损失偏多。16.5%组孔径0.5 μm~0.75 μm,对于波长0.45 μm~0.65 μm波段辐射能力最强的太阳光能更充分地利用,达到最好的陷光效果[6];且孔洞相对于14.5 %组偏浅,磷扩散会更均匀,复合中心也会减少。16.5 %组相对于其他两组,实现了光学与电学的最佳平衡。

表4为实验测试电池参数,16.5%组电池转换效率较14.5%组高0.12%、较18.5%组高0.1%,短路电流有明显优势。14.5%、16.5%、18.5%三种不同反射率太阳能电池的短路电流Isc密度统计分布图如图2所示。

表 4. 实验电池参数

Table 4. 实验电池参数

实验分组Uoc/VIsc/ARsRshFF/(%)Eff/(%)Count/片
14.5%组0.636 39.146 00.001 221 257.8381.0419.052200
16.5%组0.637 39.169 80.001 211 332.7881.1119.175200
18.5%组0.636 59.147 10.001 211 262.3781.0719.072200

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图 2. 短路电流密度统计分布图

Fig. 2. Statistical distribution of short-circuit current density

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电流差异大,分析原因为:14.5%组孔径约0.4 μm~0.5 μm,因相对16.5%组增加了挖孔时间,挖孔较深,减少了扩孔时间,孔洞孔径偏小;18.5%组孔径约0.85 μm~0.95 μm,因相对16.5%组减少了挖孔时间,挖孔较浅,增加了扩孔时间,孔洞孔径偏大。由于前处理工艺及“③沉银”工艺条件一致,硅片表面Ag+数量可以认为是一样的,即硅片表面孔的数量基本一致。14.5%组挖孔深、孔径小,单位面积对光的吸收较少,故电流相对偏低;18.5%组孔径大但是挖孔较浅,对光的吸收能力小,故电流相对偏低。

3 结 论

通过调整黑硅工艺,得到三组不同反射率的制绒后硅片,在后续同工艺条件下制成太阳能电池,并测试电池参数及转换效率。通过实验数据分析得出结论:为了提升黑硅太阳能电池效率,反射率控制很关键,湿法黑硅制绒反射率控制在16%~17%,能达到较高的太阳光吸收利用率,有效地提升了电池的短路电流,从而提升转换效率。本实验结果表明,反射率控制在16%~17%范围,效率提升0.1 %以上。

参考文献

[1] 王 平. 黑硅结构在太阳电池中的应用[D].无锡江南大学,2019.

[2] 杜忠明. 多晶硅太阳电池关键技术研究[D].昆明云南师范大学,2006.

[3] 崔永华. 黑硅材料的制备及其电池性能的研究[D].上海上海师范大学,2019.

[4] ToorF, ToorF, ToorF, Toor F, Branz H M, BranzH M, BranzH M, BranzH M, Page M R, PageM R, PageM R, PageM R. Multi-scale surface texture to improve blue response of nanoporous black silicon cells[J]. Applied Physics Letter, 2011, 99(10): 103501.

[5] 韩长安,邹 帅,李建江,等, 韩长安,邹 帅,李建江,等, 韩长安,邹 帅,李建江,等. 高效多晶黑硅电池的产线技术[J]. 太阳能学报, 2013, 34(12): 2164-2169.

[6] 赵振越. 高效太阳电池衬底表面处理工艺研究[D].天津河北工业大学,2014.

张晓朋, 李翠双, 史金超, 张东升, 王静. 黑硅反射率对太阳能电池电性能的影响[J]. 光电子技术, 2020, 40(2): 125. Xiaopeng ZHANG, Cuishuang LI, Jinchao SHI, Dongsheng ZHANG, Jing WANG. Effect of Black Silicon Reflectivity on the Electrical Properties of Solar Cells[J]. Optoelectronic Technology, 2020, 40(2): 125.

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