量子电子学报, 2008, 25 (3): 0276, 网络出版: 2010-06-07
半导体单量子点增益与吸收特性的研究
Investigation of a single semiconductor quantum dot's absorption and gain properties
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | O431．2 |
| 栏目: | 量子光学 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金资助项目(60768001和10464002) |
| 收稿日期: | 2007-11-07 |
| 修改稿日期: | 2008-01-17 |
| 网络出版日期: | 2010-06-07 |
| 通讯作者: | 赵顺才 (zscnum1@126.com) |
| 备注: | -- |
赵顺才, 刘正东, 廖庆洪. 半导体单量子点增益与吸收特性的研究[J]. 量子电子学报, 2008, 25(3): 0276. ZHAO Shun-cai, LIU Zheng-dong, LIAO Qing-bong. Investigation of a single semiconductor quantum dot's absorption and gain properties[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2008, 25(3): 0276.
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