量子电子学报, 2008, 25 (3): 0276, 网络出版: 2010-06-07  

半导体单量子点增益与吸收特性的研究

Investigation of a single semiconductor quantum dot's absorption and gain properties
作者单位
南昌大学近代物理研究所,纳米技术工程研究中心,江西 南昌 330047
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赵顺才, 刘正东, 廖庆洪. 半导体单量子点增益与吸收特性的研究[J]. 量子电子学报, 2008, 25(3): 0276. ZHAO Shun-cai, LIU Zheng-dong, LIAO Qing-bong. Investigation of a single semiconductor quantum dot's absorption and gain properties[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2008, 25(3): 0276.

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