强激光与粒子束, 2007, 19 (8): 1385, 网络出版: 2008-02-18  

引入反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱的电子跃迁

Description of electron transition in superlattice quantum well by ch-2x potential
作者单位
1 重庆大学,电气工程学院,重庆,400044
2 东莞理工学院,广东,东莞,523106
摘要
鉴于"方形"势阱过于简单和理想,引入了反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱中的电子运动行为.在量子力学框架内,把电子的Schr(o)dinger方程化为了超几何方程, 并以Ga1-xAlxAs-GaAs- Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁和带间跃迁.结果表明,能级数目和跃迁能量与阱深、阱宽等系统参数有关,只需适当调节这些参数就可望实现对超晶格量子阱光电特征的调节与控制.
Abstract

罗晓华, 邵明珠. 引入反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱的电子跃迁[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(8): 1385. 罗晓华, 邵明珠. Description of electron transition in superlattice quantum well by ch-2x potential[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19(8): 1385.

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