红外与毫米波学报, 2010, 29 (3): 161, 网络出版: 2010-07-21
GaN基肖特基器件中的反常电容特性 下载: 597次
ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | TN311+.8 |
栏目: | |
项目基金: | Supported by National Natural Science Foundation of China(60708027) |
收稿日期: | 2009-08-07 |
修改稿日期: | 2010-03-09 |
网络出版日期: | 2010-07-21 |
通讯作者: | |
备注: | -- |
储开慧, 张文静, 许金通, 李向阳. GaN基肖特基器件中的反常电容特性[J]. 红外与毫米波学报, 2010, 29(3): 161. CHU Kai-Hui, ZHANG Wen-Jing, XU Jin-Tong, LI Xiang-Yang. ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2010, 29(3): 161.