激光与光电子学进展, 2019, 56 (13): 132601, 网络出版: 2019-07-11  

旋光效应对Bi12SiO20晶体中光动量及角动量的影响 下载: 1002次

Influence of Optical Activity on Optical Momentum and Angular Momentum in Bi12SiO20 Crystals
作者单位
厦门大学物理科学与技术学院, 福建 厦门 361005
摘要
从Maxwell方程组出发,将与旋光效应相关的二阶非线性电极化作为线性电极化的微扰项,并结合角谱表示理论,以傍轴高斯光束作为入射光场,研究了光束在具有自然旋光性的Bi12SiO20晶体中的传播问题,并分别采用Minkowski和Abraham两种形式的光动量,得出Bi12SiO20晶体中的光动量及角动量表达式。结果表明,旋光性的存在使得晶体中的Minkowski动量和Abraham动量的比值不再是晶体折射率的平方。采用Minkowski角动量密度形式,可以发现,光场与晶体之间的角动量会发生耦合,虽然光场自身的角动量不守恒,但光场和晶体的总角动量守恒。
Abstract
Beginning from Maxwell's equations and by considering the second-order nonlinear polarization related to the optical activity as the perturbation of linear polarization, we investigate the propagation behavior of the paraxial Gaussian light which acts as incident light in the optically active medium Bi12SiO20 and utilize the Minkowski and Abraham momenta to obtain the expressions of optical momentum and angular momentum in Bi12SiO20 crystals. Further, we obtain that the ratio of Minkowski momentum to Abraham momentum is not equal to the square of the refractive index of the crystal because of the existence of optical activity. In the Minkowski picture, because of the coupling of the angular momentum between the light and the crystal, the angular momentum of the light field is not conserved, whereas the total angular momentum of the light and crystal is conserved.

1 引言

介质中光动量的正确形式持续争议了一个多世纪,争议起源于Minkowski[1]和Abraham[2]。多数理论研究表明,Abraham动量为介质中光子自身的动量,对应于物质的动力学动量,而Minkowski动量对应于物质的正则动量[3-5]。对于各向同性透明介质,Minkowski动量与介质折射率成正比,而Abraham动量与介质折射率成反比。近年来,光动量问题被拓展到新的领域,人们开始研究电磁场在各向异性介质以及介电响应更复杂的介质中的能量、动量、角动量、辐射压力等问题。Antonoyiannakis等[6]通过Maxwell应力张量的面积分来确定GaP小球组成的三维光子晶体中的光力,发现光对相邻GaP小球产生的是吸引力还是排斥力取决于光的频率。从经典Maxwell方程组出发,Mansuripur[7]采用新形式的洛伦兹力研究介质中的光动量,提出光动量为Abraham和Minkowski动量之和的平均,并将其推广应用于分析色散介质[8]、磁性介质[9],以及具有亚波长结构介质中的光动量问题[10]。在考虑色散和吸收的条件下,Kemp等[11]研究了电磁场在相对介电常数εr和相对磁导率μr同时为负值的左手介质中的能量、动量、辐射压力,发现电磁场的动量密度和能流密度在无吸收的左手介质中方向相反,而在有吸收的左手介质中方向可能相同也可能相反,其方向取决于电磁场的频率。Feigel[12]利用Blount和Nelson的经典场理论方法来研究量子真空对磁电介质的作用,预言了类似于Casimir力的现象。李东华等[13]分析了透明介质平板在高斯光束照射下的受力情况,由动量守恒定理推导得出透明介质平板的受力表达式。此外,Ciattoni等[14-15]采用角谱表示方法研究了光在单轴晶体中传播时的角动量特性,将晶体中光的角动量分为自旋角动量和轨道角动量[16]两部分,发现晶体中光场的自旋-轨道角动量会发生耦合,沿光轴方向上晶体与光场的角动量各自守恒。之后,Lu等[17]将角谱表示方法推广应用于分析光在双轴晶体中的角动量特性,发现在双轴晶体中光的自旋-轨道角动量同样发生耦合,但不同于单轴晶体,双轴晶体和光场之间角动量发生传递,因此晶体中光场自身的角动量不守恒。

硅酸铋晶体Bi12SiO20(BSO)是一种各向同性的自然旋光晶体,线偏振光在其间传播时偏振面会发生旋转,该现象被称为旋光效应[18],与电极化率的空间色散相关[19]。已有文献采用不同理论分析了光在旋光晶体中的传播[20-21],但目前为止还没有相关文献研究旋光效应对光动量、角动量的具体影响。本文从Maxwell方程组出发,结合平面波角谱表示方法[14,16,22],采用三阶赝张量 κjkl2描述晶体的旋光效应[21,23],分析了傍轴高斯光束在BSO晶体中的传播行为,并就旋光性对晶体中的光动量及角动量特性的影响进行了定量分析。

2 理论

2.1 傍轴高斯光束在BSO晶体中的光电场和光动量

从Maxwell方程组出发,可以推导得出光在介质中的传播方程为[13,17,24]

2E(r)-[·E(r)]+k02ε·E(r)=-μ0ω2P2(r),(1)

式中:ε为相对介电张量;μ0为真空中磁导率;ω为光的圆频率;k0=2π/λ为真空中光波数,λ为真空中波长;E(r)为光电场矢量;P(2)(r)为二阶非线性电极化强度;r为介质空间中的位置矢量。本文只考虑与旋光性相关的非线性电极化强度[19]Pj2=2ε0κjkl2lEk,其中ε0为真空中介电常数, l为梯度算符的l分量,Ek为光电场矢量的k分量。与旋光性相关的三阶赝张量[19,23]κjkl2=- εjkmgml2n0k0,其中εjkmgml分别为Levi-Civita张量元素和旋光张量元素[25],n0为旋光介质的折射率。各向同性的硅酸铋旋光晶体BSO的三阶赝张量κ(2)可以表示为

κ2=000-g2n0k0g2n0k0000000000-g2n0k0g2n0k0000000000-g2n0k0g2n0k0,(2)

式中:g=g11=g22=g33,g11g22g33为硅酸铋旋光晶体的旋光张量g的三个对角元。考虑一束光沿着z轴传播,入射到BSO晶体中的情形。利用平面波角谱表示方法可以将光电场表示为傅里叶积分的形式[17,22],即

E(r,z)=d2kexp(ik·r)E~(k,z),(3)

式中:r为横向坐标矢量;k为横向波矢量; E~(k,z)为平面波的角谱。

将(3)式代入到传播方程(1)式当中,忽略反向传播的光波影响,可以推导出

E~(k,z)=c1c3c5expλ1z+c2c4c6expλ2z,(4)

式中:λ1λ2分别代表BSO旋光晶体中两独立传播的光波的纵向传播常数;c1~c6为相应平面波分量的权重系数。

忽略与三阶赝张量元 κxyz2有关的高阶小量,结合傍轴近似可得λ1,2=i α-k2δ,其中参数α= k02n02,δ= k02κxyz2,k代表横向波矢量的大小(即横向波数)。(4)式中的c1~c6可以表示为

c1c3=P1·E~(0),c2c4=P2·E~(0),(5)c5c6=iα-k2·λ1kx-2δkyc1+λ1ky+2δkxc3λ2kx-2δkyc2+λ2ky+2δkxc4,(6)

式中: E~(0)为初始入射平面z=0处横向电矢量的二维傅里叶变换;P1P2为联系c1~c4系数与 E~(0)的矩阵;kx为横向波矢量的x分量;ky为横向波矢量的y分量。上述的P1P2矩阵为

P1,2=121001±i2αα-k2-kxky-α-kx2α-ky2kxky(7)

以左旋圆偏振傍轴高斯光束为入射光,初始光电场为E(r,0)=E0exp{-[r2/(2s)2]}e+,其中E0为高斯光束的初始电矢量振幅,s为光束的束腰半径,e+=(1/ 2)(ex-iey)表示光束的偏振态为左旋圆偏振,其中ex为水平线偏振态的单位矢量,ey为竖直线偏振态的单位矢量。对初始光电场作傅里叶变换,可得初始条件 E~(0)=[E0s2/(2π)]·exp[-( k2s2/2)]e+。在坐标表象中,横向坐标矢量为r=r(cosφex+sinφey),其中φ为横向坐标矢量rx轴的夹角;在动量表象中,横向波矢为k=k(cosθex+sinθey)[26],其中θ为横向波矢量kx轴的夹角。进一步可推导得傍轴高斯光束在BSO旋光晶体中的光电场为

E+(r,φ,z)=E0s2s2zexpik0n0z·exp-exp-r22s2z,(8)E-(r,φ,z)=-E0s22αexpik0n0zisinσ·r2s2z3exp-r22s2zexpi2φ,(9)Ez(r,φ,z)=-iE0s22αrs2z2·expik0n0zexp-r22s2z1+σzα·exp(-)exp(),(10)

式中:E+为电矢量的左旋圆偏振分量;E-为电矢量的右旋圆偏振分量;Ez 为电矢量的z分量;r为旋光晶体中某点的极坐标;z为光在旋光晶体中的传播距离;参数α= k02n02;s(2)(z)=s2+iz/α为随传播距离z变化的光场束腰半径的平方;σ= κxyz2k02z描述了晶体的旋光性对光波纵向传播常数的影响。若忽略BSO晶体旋光性的影响,可令描述旋光性强弱的三阶赝张量元 κxyz2=0,即σ=0,则E-(r,φ,z)=0,左旋圆偏振高斯光束在晶体中传播时仍然只有左旋圆偏振分量;若考虑BSO晶体的旋光性对二阶非线性电极化的微扰作用,则由于 κxyz2≠0,E-(r,φ,z)≠0,此时晶体中出现了E-右旋圆偏振分量,且从(9)式可以看出E-分量携带2 h-( h-为约化普朗克常量)的轨道角动量,说明晶体中光场的自旋-轨道角动量发生了耦合。从(8)~(10)式可以看出,左旋圆偏振傍轴高斯光束在BSO晶体中的传播特性和在锗酸铋磁光晶体(BGO晶体)中的传播特性非常类似[24]

本文以波长λ=0.633 μm的光为入射光,光束束腰半径设为s=1 μm,BSO晶体[27]的折射率为n0=2.54,晶体的三阶赝张量元 κxyz2=-3.897×10-12 m/V。图1为BSO晶体中光电场的振幅和相位分布。从图1(c2)、(c3)的相位图中可以看出,E-Ez分量分别携带2 h-h-的轨道角动量。

图 1. BSO晶体中光电场的振幅和相位分布。 (a1-a3)在z=0 μm平面上E+、E-和Ez的振幅分布;(b1-b3)在z=3000 μm平面上E+、E-和Ez的振幅分布;(c1-c3)在z=3000 μm平面上E+、E-和Ez的相位分布

Fig. 1. Plots of amplitudes and phases of electric field in BSO crystals. (a1)-(a3) Amplitudes of E+, E-, and Ez on plane of z=0 μm; (b1)-(b3) amplitudes of E+, E-, and Ez on plane of z=3000 μm; (c1)-(c3) phases of E+, E-, and Ez on plane of z=3000 μm

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在推导出BSO晶体中光电场的基础上,可以研究晶体的旋光性对晶体中光动量的影响。分别采用Minkowski光动量密度gM=D×B和Abraham光动量密度gA= 1c2E×H两种形式,其中c为真空中光速,D为电位移矢量,B为磁感应强度矢量,E为电场强度矢量,H为磁场强度矢量。BSO晶体中电位移矢量元为Dμ=εμαEα+ Pμ2,磁感应强度为Bj=- iωεjklkEl,磁场强度为Hj=- iμ0ωεjklkEl,其中εμα为晶体的介电张量元,Eα为光电矢量的α分量, Pμ2为二阶非线性电极化强度的μ分量,∂k为对坐标xk分量的偏微分,El为光电矢量的l分量。结合前面推导出的BSO晶体中的光电场(8)~(10)式,可得

gAj=-ε02ωImεjklEkεlmn(mEn)*,(11)gMj=n02gAj+Δgj,(12)Δgj=ε0ωκxyz2εjklImεkmnmEnεlpq(pEq)*(13)

式中: gjAgjM为代表Abraham和Minkowski动量密度的j分量;Δgj为与旋光性相关的动量密度的j分量;EkEq分别为光电矢量的kq分量,εlmnεlmnεlpq均为Levi-Civita张量元素。

若忽略BSO晶体旋光性的影响,令 κxyz2=0,由(11)~(13)可知,晶体中两种形式的动量密度之间满足gM= n02gA,即Minkowski动量密度与Abraham动量密度的比值为晶体折射率n0的平方;若将BSO晶体的旋光性视为二阶非线性电极化的微扰,由于 κxyz2≠0,则Minkowski动量密度中增加了一项与旋光性相关的动量密度Δg,该项的出现使gMn02gA。由于BSO晶体的旋光性( κxyz2≠0)会影响到晶体中的光电场,因此旋光性对Abraham动量密度和Minkowski动量密度均有影响。图2给出了Abraham动量密度和Minkowski动量密度及Δgjz=3000 μm面上的分布。值得注意的是,Abraham动量密度和Minkowski动量密度的横向分量,即 gxAgyAgxMgyM的积分值为零,纵向分量 gzAgzM的体积分即为BSO晶体中的总光动量,Abraham动量 PzA= gzAdV,Minkowski动量 PzM= gzMdV,总动量沿传播方向z轴正方向,V为晶体体积。Δgj的横向分量Δgx和Δgy的积分结果也均为零,纵向分量Δgz的积分记为ΔPz= VΔgzdV。旋光效应的存在导致Minkowski动量 PzM和Abraham动量 PzA的比值不再是晶体折射率n0的平方,而是满足 PzM= n02PzAPz

2.2 傍轴高斯光束在BSO晶体中的角动量

在已推导出BSO晶体中光动量的基础上,可以研究光在BSO晶体中的角动量特性。将位置矢量r叉乘动量密度矢量可以得到相应的角动量密度矢量[28] ,即

jM=r×(D×B),(14)jA=1c2r×(E×H),(15)

图 2. 动量密度gjA、gjM及Δgj在z=3000 μm面上的分布。(a1-a3) Abraham动量密度gjA;(b1-b3) Minkowski动量密度gjM;(c1-c3) Δgj

Fig. 2. Plots of momentum density gjA, gjM, and Δgj on plane of z=3000 μm. (a1)-(a3) Abraham momentum density gjA; (b1)-(b3) Minkowski momentum density gjM; (c1)-(c3) Δgj

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式中:jM为Minkowski角动量密度;jA为Abraham角动量密度。将Minkowski和Abraham动量密度代入(14)式和(15)式,即可得高斯光束在BSO晶体中的角动量密度。

从Maxwell方程组出发可以推导得出[15]

ddtr×(D×B)dV=r×E·D-D××EdV+r×H·B-B××HdV,(16)E·D-D××E+H·B-B××H=·T,(17)

式中:t为时间;T为介质中电磁场动量流密度张量。本文采用Maxwell和赫维赛德(Heaviside)提出的不对称形式 TijM=EiDj- 12(E·Dij+HiBj- 12(H·Bij,其中Ei为光电矢量i分量,Dj为电位移矢量j分量,Hi为磁场强度矢量i分量,Bj为磁感应强度矢量j分量,δij为克罗内克函数。将(16)式改写为[15,17]

dLfdt=FndS+gdV,(18)

式中:S为包围体积V的表面;n=nxex+nyey+nzez为垂直表面S向外指出的单位矢量,其中exeyez为沿坐标轴的三个单位矢量,(nx,ny,nz)为n的方向余弦;Lf= Vr×(D×B)dV为体积V内Minkowski形式的电磁场总角动量;F为角动量流密度张量。当对g的体积分为零时,(18)式为角动量流的连续性方程。可以推导得BSO晶体中

gj=-ε0κxyz2εjklReEkεlmn(mEn)*(19)

图3给出了两种形式的角动量密度jAjMgz=3000 μm面上的分布。两种角动量密度的横向分量 jxAjyAjxMjyM的积分结果均为0,因此总角动量也是沿传播方向z轴正方向。同样地,g的横向分量gxgy的积分也均为零。

将BSO晶体的厚度记为Z,晶体的出射端面可以分为z=Z-z=Z+内外两面,(18)式对时间求平均可以改写为[17]

<dLfzdt>=Φ(0+)-Φ(Z-)+<gz>dV,(20)

图 3. 角动量密度j及g的各个分量在z=3000 μm平面上的分布。(a1)-(a3) Abraham角动量密度jA的各个分量;(b1)-(b3) Minkowski角动量密度jM的各个分量;(c1)-(c3) g的各个分量

Fig. 3. Plots of components of angular momentum density j and g on plane of z=3000 μm. (a1)-(a3) Components of Abraham angular momentum density jA; (b1)-(b3) components of Minkowski angular momentum density jM; (c1)-(c3) components of g

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式中:0+代表位于晶体内侧的入射端面;Z-代表位于晶体内侧的出射端面;Φ(z)=- S<Fzz(r,z,t)>dS表示对时间求平均后流过任意z平面的角动量流,角动量流在晶体出射端的内外表面上是连续的,即Φ(Z-)=Φ(Z+)=Φ(z),其中Fzz(r,z,t)为角动量流密度张量元。对时间求平均得< dLfzdt>=0,即光场和晶体的总角动量守恒。对gz的积分 <gz>dV≠0,说明傍轴高斯光场与BSO晶体之间的角动量发生耦合,Jc(z)=- V<gz>dV为光场传递给BSO晶体的角动量,因此,光场自身的角动量并不守恒。

3 结论

基于Bi12SiO20晶体研究了高斯光束在旋光晶体中的旋光现象。采用角谱理论推导得出左旋圆偏振傍轴高斯光束在晶体中的光电场表达式;在此基础上,采用Minkowski和Abraham两种动量形式研究了旋光效应的存在对BSO晶体中光动量和角动量的影响。考虑旋光性后的Minkowski动量中包含一项与三阶赝张量 κjkl2相联系的动量ΔPz,该项的存在使得Minkowski动量 PzM和Abraham动量 PzA的比值不再是晶体折射率n0的平方,而是满足 PzM= n02PzAPz这一关系式。采用Maxwell和赫维赛德提出的电磁场动量流密度张量和Minkowski形式的动量,分析了BSO晶体中的角动量流,发现光场和BSO晶体的总角动量守恒,但光场与BSO晶体之间角动量发生耦合,Jc(z)=- <gz>dV为光场传递给晶体的角动量。

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