发光学报, 2015, 36 (11): 1320, 网络出版: 2015-11-30
负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响
Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a-IGZO TFT
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20153611.1320 |
| 中图分类号: | TN304 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61076066)、 陕西省科技统筹创新工程计划(2011KTCQ01-09)、 陕西科技大学学术带头人专项(2013XSD14)资助项目 |
| 收稿日期: | 2015-08-10 |
| 修改稿日期: | 2015-09-14 |
| 网络出版日期: | 2015-11-30 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
丁磊, 张方辉. 负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响[J]. 发光学报, 2015, 36(11): 1320. DING Lei, ZHANG Fang-hui. Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a-IGZO TFT[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015, 36(11): 1320.
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