发光学报, 2012, 33 (2): 210, 网络出版: 2012-02-20   

ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响

Effect of ITO Interface Modulation Layer on The Performances of LEDs with Ga-doped ZnO Electrode
作者单位
1 上海大学 机电工程与自动化学院, 上海200072
2 上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海200072
基本信息
DOI: 10.3788/fgxb20123302.0210
中图分类号: TN301
栏目: 器件制备及器件物理
项目基金: 国家自然科学基金(0 51072111、 50675130)、 973(2011CB013100)资助项目
收稿日期: 2011-11-10
修改稿日期: 2011-12-01
网络出版日期: 2012-02-20
通讯作者: 王万晶 (wangwanjing@shu.edu.cn)
备注: --

王万晶, 李喜峰, 石继峰, 张建华. ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响[J]. 发光学报, 2012, 33(2): 210. WANG Wan-jing, LI Xi-feng, SHI Ji-feng, ZHANG Jian-hua. Effect of ITO Interface Modulation Layer on The Performances of LEDs with Ga-doped ZnO Electrode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012, 33(2): 210.

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