采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO(ITO/GZO)透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层，对比研究界面调控层对LED器件性能的影响。研究结果表明，ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80%以上，退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率(1.15×10-3 Ω·cm)。ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度，有利于改善LED外量子效率，降低GZO/p-GaN界面的接触势垒，提高LED器件的光电性能。通过ITO界面调控后，LED器件20 mA驱动电流下的工作电压从9.5 V降低为6.8 V，发光强度从245 mcd升到297 mcd，提高了20%; 驱动电流为35 mA时，其发光强度从340.5 mcd 升到511 mcd，提高了50%。