激光与光电子学进展, 1983, 20 (9): 23, 网络出版: 2013-07-26
用环形连续氩激光束在无定形衬底上实现硅的再结晶
摘要
改变连续氩激光束的模式，在SiO2上生成了大于600微米长的连续单晶硅膜，一种是由大块的硅籽晶横向外延生长的，一种没有横向外延。为了抑制在熔化区两边产生竞争成核，采用环形光束代替通常的高斯分布。控制激光斑的热分布。结果表明，液-固交界面处的线轮廓是硅的再生长机理中最主要的限制参数。
Abstract
参考文献
赵天吉. 用环形连续氩激光束在无定形衬底上实现硅的再结晶[J]. 激光与光电子学进展, 1983, 20(9): 23. 赵天吉. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1983, 20(9): 23.
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