多脉冲飞秒激光烧蚀硅的热累积效应

张明鑫; 李志明; 聂劲松; 谢运涛

doi:doi:10.19453/j.cnki.1005-488x.2018.04.002

光电子技术, 2018, 38 (4): 224, 网络出版: 2019-01-15

多脉冲飞秒激光烧蚀硅的热累积效应

Heat Accumulation Effect of Multipulse Femtosecond Laser Ablation of Silicon

张明鑫 ^*李志明聂劲松谢运涛

作者单位

国防科技大学电子对抗学院脉冲功率激光技术国家重点实验室, 合肥 230037

引用该论文

张明鑫, 李志明, 聂劲松, 谢运涛. 多脉冲飞秒激光烧蚀硅的热累积效应[J]. 光电子技术, 2018, 38(4): 224.

ZHANG Mingxin, LI Zhiming, NIE Jinsong, XIE Yuntao. Heat Accumulation Effect of Multipulse Femtosecond Laser Ablation of Silicon[J]. Optoelectronic Technology, 2018, 38(4): 224.

引用列表

1、 532 nm皮秒脉冲激光对单晶硅的损伤特性研究中国光学, 2022, 15 (2): 242

2、飞秒激光烧蚀面齿轮材料的形貌特征研究中国激光, 2021, 48 (14): 1402017

3、硼掺杂纳米硅薄膜的多脉冲激光熔覆数值模拟及实验研究红外与激光工程, 2021, 50 (10): 20210023

张明鑫, 李志明, 聂劲松, 谢运涛. 多脉冲飞秒激光烧蚀硅的热累积效应[J]. 光电子技术, 2018, 38(4): 224. ZHANG Mingxin, LI Zhiming, NIE Jinsong, XIE Yuntao. Heat Accumulation Effect of Multipulse Femtosecond Laser Ablation of Silicon[J]. Optoelectronic Technology, 2018, 38(4): 224.

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