光学学报, 1997, 17 (12): 1614, 网络出版: 2006-10-31
高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器
High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | -- |
| 栏目: | 激光器与激光光学 |
| 项目基金: | -- |
| 收稿日期: | 1996-11-01 |
| 修改稿日期: | 1996-12-23 |
| 网络出版日期: | 2006-10-31 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
朱宝仁, 张兴德, 薄报学, 张宝顺, 杨忠和. 高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器[J]. 光学学报, 1997, 17(12): 1614. 朱宝仁, 张兴德, 薄报学, 张宝顺, 杨忠和. High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers[J]. Acta Optica Sinica, 1997, 17(12): 1614.
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