高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器
朱宝仁, 张兴德, 薄报学, 张宝顺, 杨忠和. 高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器[J]. 光学学报, 1997, 17(12): 1614.
朱宝仁, 张兴德, 薄报学, 张宝顺, 杨忠和. High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers[J]. Acta Optica Sinica, 1997, 17(12): 1614.
[1] N. Y. Antonishkis, I. N. Arsentyev, D. Z. Garbuzov et al.. Power CW InGaAsP/GaAs heterostructure lasers with a dielectric mirror. Sov. Tech. Phys. Lett., 1988, 14(2): 310～313
[2] D. Z. Garbuzov, I. N. Arsentyev, A. V. Ovchinnikov et al.. InGaAsP/InP(λ=1.3 μm)and InGaAsP/GaAs(λ=0.8 μm) quantum well lasers grown by liquid phase epitaxy. in Tech. Dig., Conf. Lasers Electro-Opt., Soc. Amer., Washingion DC. 1988: 396～398, Paper THU44
[3] 钟景昌,朱宝仁,黎荣辉 等. 1.55 μm大光腔激光器. 光学学报, 1992, 12(3): 193～198
[4] B. R. Zhu, R. H. Li, Y. J. Zhao et al.. 1.3 μm separate confinement lasers. Proc. SPIE, 1994, 2321: 323～325
朱宝仁, 张兴德, 薄报学, 张宝顺, 杨忠和. 高功率808nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器[J]. 光学学报, 1997, 17(12): 1614. 朱宝仁, 张兴德, 薄报学, 张宝顺, 杨忠和. High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers[J]. Acta Optica Sinica, 1997, 17(12): 1614.
PDF全文
