发光学报, 2016, 37 (10): 1230, 网络出版: 2017-01-13
不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析
Degradation Analysis of Mid-power GaN-based LEDs with Different Package Materials
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20163710.1230 |
| 中图分类号: | TN383+.1 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(11574306)、中国国际科技合作计划(2014DFG62280)、 “863”国家高技术研究发展计划(2015AA03A101)资助项目 |
| 收稿日期: | 2016-04-28 |
| 修改稿日期: | 2016-05-22 |
| 网络出版日期: | 2017-01-13 |
| 通讯作者: | 赵丽霞 (lxzhao@semi.ac.cn) |
| 备注: | -- |
符佳佳, 曹海城, 赵丽霞, 王军喜, 李晋闽. 不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析[J]. 发光学报, 2016, 37(10): 1230. FU Jia-iia, CAO Hai-cheng, ZHAO Li-xia, WANG Jun-xi, LI Jin-min. Degradation Analysis of Mid-power GaN-based LEDs with Different Package Materials[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(10): 1230.
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