Te掺杂单层MoS<sub>2</sub>的电子结构与光电性质

张昌华; 余志强; 廖红华

doi:doi:10.3788/fgxb20143507.0785

发光学报, 2014, 35 (7): 785, 网络出版: 2014-07-22

Te掺杂单层MoS₂的电子结构与光电性质

Electronic Structure and Photoelectric Properties of Te-doped Single-layer MoS₂

张昌华 ¹余志强 ^1,2,*廖红华 ¹

作者单位

¹ 湖北民族学院电气工程系, 湖北恩施 445000

² 华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家重点实验室, 湖北武汉 430074

引用该论文

张昌华, 余志强, 廖红华. Te掺杂单层MoS₂的电子结构与光电性质[J]. 发光学报, 2014, 35(7): 785.

ZHANG Chang-hua, YU Zhi-qiang, LIAO Hong-hua. Electronic Structure and Photoelectric Properties of Te-doped Single-layer MoS₂[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(7): 785.

引用列表

1、单层MoS1.89X0.11电子结构及光学性质的第一性原理计算激光与光电子学进展, 2015, 52 (5): 51602

张昌华, 余志强, 廖红华. Te掺杂单层MoS₂的电子结构与光电性质[J]. 发光学报, 2014, 35(7): 785. ZHANG Chang-hua, YU Zhi-qiang, LIAO Hong-hua. Electronic Structure and Photoelectric Properties of Te-doped Single-layer MoS₂[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(7): 785.

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