发光学报, 2014, 35 (7): 785, 网络出版: 2014-07-22
Te掺杂单层MoS2的电子结构与光电性质
Electronic Structure and Photoelectric Properties of Te-doped Single-layer MoS2
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20143507.0785 |
| 中图分类号: | O471.5 |
| 栏目: | 材料合成及性能 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61263030)、 湖北省教育厅科学技术研究计划(B20122903)资助项目 |
| 收稿日期: | 2014-04-16 |
| 修改稿日期: | 2014-05-07 |
| 网络出版日期: | 2014-07-22 |
| 通讯作者: | 余志强 (zhiqiangyu@hust.edu.cn) |
| 备注: | -- |
张昌华, 余志强, 廖红华. Te掺杂单层MoS2的电子结构与光电性质[J]. 发光学报, 2014, 35(7): 785. ZHANG Chang-hua, YU Zhi-qiang, LIAO Hong-hua. Electronic Structure and Photoelectric Properties of Te-doped Single-layer MoS2[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(7): 785.
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