中国激光, 2015, 42 (8): 0817001, 网络出版: 2022-09-24   

共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件优化

Optimization of Molecular Beam Epitaxy Conditions of Resonant Tunneling Diode Photodetector
作者单位
1 军械工程学院纳米技术与微系统实验室, 河北 石家庄 050003
2 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
引用该论文

董宇, 王广龙, 倪海桥, 陈建辉, 乔中涛, 裴康明, 李宝晨, 牛智川. 共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件优化[J]. 中国激光, 2015, 42(8): 0817001.

Dong Yu, Wang Guanglong, Ni Haiqiao, Chen Jianhui, Qiao Zhongtao, Pei Kangming, Li Baochen, Niu Zhichuan. Optimization of Molecular Beam Epitaxy Conditions of Resonant Tunneling Diode Photodetector[J]. Chinese Journal of Lasers, 2015, 42(8): 0817001.

引用列表
2、 共振隧穿二极管近红外探测器的电流抑制方法研究激光与光电子学进展, 2016, 53 (2): 20402

董宇, 王广龙, 倪海桥, 陈建辉, 乔中涛, 裴康明, 李宝晨, 牛智川. 共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件优化[J]. 中国激光, 2015, 42(8): 0817001. Dong Yu, Wang Guanglong, Ni Haiqiao, Chen Jianhui, Qiao Zhongtao, Pei Kangming, Li Baochen, Niu Zhichuan. Optimization of Molecular Beam Epitaxy Conditions of Resonant Tunneling Diode Photodetector[J]. Chinese Journal of Lasers, 2015, 42(8): 0817001.

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