为满足导弹的末端落角约束要求, 提高毁伤效能, 基于有限时间控制和终端滑模控制理论, 提出了一种带落角约束的滑模导引律。该导引律选取终端滑模面, 包含弹目相对速度偏角和落角约束项, 采用快速幂次趋近律, 可实现制导系统状态的有限时间收敛, 满足命中精度和落角约束的要求。运用有限时间控制理论对该导引律进行了分析, 证明了制导系统状态的有限时间收敛特性, 并给出了收敛时间的具体表达形式。最后, 进行了对比仿真分析, 仿真结果验证了该导引律的有效性、鲁棒性和优越性。
导弹 落角约束 导引律 相对速度偏角 有限时间收敛 终端滑模控制 missile impact angle constraint guidance law relative velocity deflection angle finite-time convergence terminal sliding mode control
Author Affiliations
Abstract
1 Laboratory of Nanotechnology and Microsystems, Mechanical Engineering College, Shijiazhuang 050000, China
2 State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100084, China
Short-wave infrared (SWIR) detectors combining AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs double barrier structure (DBS) with In0.53Ga0.47As absorption layer are fabricated by molecular beam epitaxy. By adding a p-charge layer, the dark current density of the detector is lowered by 3 orders of magnitude. The responsivity of the detector is tested at room temperature, which reaches 6000 A/W when the power of the incident light is 0.7 nW. The noise equivalent power (NEP) of the detector at 5 kHz is measured to be 3.77×10 14 W/Hz1/2 at room temperature.
250.0040 Detectors 230.5160 Photodetectors 160.1890 Detector materials 060.5565 Quantum communications Chinese Optics Letters
2016, 14(2): 022501
1 军械工程学院纳米技术与微系统实验室, 河北 石家庄 050003
2 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
对一种共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件进行了研究。对探测器结构进行设计，研究了不同Al束流和不同生长温度下In0.52Al0.48As 材料的生长质量，结合X 射线衍射及原子力显微镜测试结果确定了In0.52Al0.48As 材料的最佳生长条件。研究了不同Ga束流下In0.53Ga0.47As材料的生长质量，并采用一种衬底变温的生长方法解决了恒温生长较厚In0.53Ga0.47As外延层时表面容易出现点状突起的问题，获得了平整的In0.53Ga0.47As外延表面。分别采用恒温和变温的生长方法制备了探测器样品，并对其电流-电压特性及光响应进行了测试，测试结果表明，采用变温生长方法制备的探测器样品具有更高的峰值电流和光响应。
探测器 分子束外延 共振隧穿二极管 黑体响应度
