光学学报, 2018, 38 (5): 0524002, 网络出版: 2018-07-10  

光控主动频率选择表面制作及光电性能研究 下载: 837次

Fabrication and Photoelectric Properties of Optically Controlled Active Frequency Selective Surface
作者单位
长春理工大学光电工程学院, 吉林 长春130022
图 & 表

图 1. 贴片型十字交叉单元。 (a)单元排布方式(b)不同尺寸的谐振曲线

Fig. 1. Patch element of crossed dipoles. (a) Arrangement of elements; (b) transmission curves with different sizes

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图 2. 十字带通型光控主动FSS结构

Fig. 2. Optically controlled active FSS structure of cross dipole slot-element

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图 3. 十字带通型光控主动FSS。 (a)单元结构尺寸;(b)单元尺寸及排布方式

Fig. 3. Optically controlled active FSS of cross dipole slot-element. (a)Structure size; (b)size and arrangement of elements

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图 4. 光控主动FSS光照前后的频谱图

Fig. 4. Spectra of optically controlled active FSS before and after illumination

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图 5. 制备光控主动FSS的工艺流程

Fig. 5. Technological process of preparing optically controlled active FSS

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图 6. 制备光电导FSS。(a)镀光导膜; (b)涂胶; (c)曝光和显影; (d)腐蚀; (e)去除保护胶; (f)样件实物图

Fig. 6. Preparation of photoconductive FSS. (a) Coating photoconductive film; (b) spin coating; (c) exposure and development; (d) corrosion; (e) cleaning the photoresist; (f) photo of sample

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图 7. CdSe掺杂量对光谱响应的影响

Fig. 7. Effect of doping amount of CdSe on spectral response

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图 8. Cu掺杂量对CdS薄膜的方块电阻的影响

Fig. 8. Effect of doping mole fraction of Cu on square resistance

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图 9. 制备金属FSS。(a)旋涂光刻胶; (b)曝光和显影; (c)镀金属膜; (d)去除光刻胶;(e)光控主动FSS样件实物图

Fig. 9. Preparation of metal FSS. (a)Spin coating; (b) exposure and development; (c) metal plating; (d) cleaning the photoresist; (e)sample of optically controlled active FSS

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图 10. 退火温度对光电导薄膜的影响。 (a)不同退火温度下的I-V对数曲线; (b)退火温度与薄膜接触方块电阻的关系

Fig. 10. Effect of annealing temperature on photoconductive thin film. (a) I-V logarithmic curves at different annealing temperatures; (b) relationship between annealing temperature and film contact square resistance

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图 11. (a)不同退火时间的I-V曲线; (b)退火时间与薄膜接触方块电阻的关系

Fig. 11. (a) I-V curves at different annealing time; (b) relationship between annealing time and film contact square resistance

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图 12. 不同频率光照射下光电导薄膜的亮方块电阻

Fig. 12. Bright square resistance of photoconductive thin film irradiated with different frequencies light

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图 13. 不同光功率下光电导薄膜的亮方块电阻

Fig. 13. Bright square resistance of photoconductive thin film irradiated with different optical powers

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图 14. 测试原理图

Fig. 14. Schematic diagram of the measurement

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图 15. 测试曲线图

Fig. 15. Curves of measurement

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图 16. 光照功率对屏蔽效果的影响

Fig. 16. Effect of optical power on shielding

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表 1Cu含量不同时光电导薄膜的暗/亮方块电阻

Table1. Dark/bright square resistance of photoconductive thin films at different doping amounts for Cu

Mole fraction of Cu /%Dark square resistance /(MΩ·□-1)Bright square resistance /(kΩ·□-1)Mole fraction of Cu /%Dark square resistance /(MΩ·□-1)Bright square resistance /(kΩ·□-1)
01.451.20.007110.03.3
0.0014.101.40.008162.03.6
0.00212.41.70.009206.33.9
0.00318.92.00.010295.04.2
0.00436.42.40.011371.14.4
0.00549.82.80.012485.34.8
0.00678.23.10.013594.25.8

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表 2不同光功率下光电导薄膜暗/亮方块电阻测试结果

Table2. Test results for dark/bright square resistance of photoconductive thin film in different optical powers

Optical power /(mW∙cm-2)Dark square resistance /(MΩ·□-1)Bright square resistance /(kΩ·□-1)
502910
100295
150291
200290.1
250290.09
300290.085

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王君, 孙艳军, 纪雪松, 王丽, 王越, 冷雁冰. 光控主动频率选择表面制作及光电性能研究[J]. 光学学报, 2018, 38(5): 0524002. Jun Wang, Yanjun Sun, Xuesong Ji, Li Wang, Yue Wang, Yanbing Leng. Fabrication and Photoelectric Properties of Optically Controlled Active Frequency Selective Surface[J]. Acta Optica Sinica, 2018, 38(5): 0524002.

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