1 五邑大学薄膜与纳米材料研究所，广东江门 529020
2 暨南大学化学系，广州 510632
报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层(13～20nm厚)高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响．对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析．结果表明，衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构，薄膜的晶团尺寸较大，微观表面较为粗糙，其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰，带隙光致荧光峰强明显增加，说明氢在衬底温度500℃～520℃下对薄膜有重要的钝化作用．
射频磁控溅射 GaAs薄膜 氢钝化 激子峰 光致荧光谱 RF magnetron sputtering GaAs film Hydrogen passivation Exciton hump PL spectrum
1 五邑大学薄膜与纳米材料研究所, 江门 529020
2 中山大学超快速激光光谱国家重点实验室, 广州 510275
3 香港中文大学电子工程系, 新界,香港
采用脉冲髙斯激光光束Ζ扫描方法测Μ了用磁控共溅射技术制备的InP/SiO2纳米颗粒薄膜的非线性光学性质。测量结果表明, 在激光波长为585 nm(非共振)的条件下, 经310 ℃退火的薄膜的非线性折射率系数γ的大小为10^{-11} m2/W量级, 比块材InP晶体相应的数值提高了5个数量级。薄膜的光学非线性对退火温度相当敏感。光学非线性增强主要起因于光致载流子的强量子限制效应和大量的局域态的振子强度的增强。
光学非线性 Ζ扫描 脉冲激光 InP纳米颗粒膜
五邑大学数学物理系薄膜研究所, 江门 529020
采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法, 分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜样品。 激光拉曼光谱的测量结果表明, 退火态样品;400℃, 60 min 的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移, 红移量为9.5 cm-1, 对应薄膜中GaAs纳米晶粒平均粒径约为3 nm。 样品的室温吸收光谱测量结果表明, 由于受量子限域效应的主导作用, 与GaAs块状单晶相比, 样品光学吸收边呈现出明显的蓝移, 蓝移量为1.78 eV, 而且在吸收光谱上还出现了若干可分辨的吸收峰。
半导体纳米晶 薄膜 光谱性质
