易于集成、高消光比是目前全光开关的研究目标。采用硅基串联双微环谐振腔的方案，双环半径均为10 μm，理论分析认为串联双微环谐振腔可以有效改善光开关的消光比，并在此基础上进一步研究了基于硅基串联双微环谐振腔热非线性效应全光开关的基本特性。实验中，通过易耦合的离面耦合方法，利用面内单光注入技术，得到串联双微环谐振腔同谐振波长处最大陷波深度为27 dB，并通过调节注入光功率，实验得到基于热非线性效应的最大开关消光比为20.2 dB，热非线性红移变化量为136.4 pm/mW；采用面内双光注入技术，测得开关时间分别为2.84 μs和3.04 μs，并与面内单光注入测试结果进行了对比分析。实验测试结果与理论分析相符，为高集成化、高性能光路由和光调制器提供可行的方案。