1 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
2 中国科学院北京半导体研究所,北京,100083
用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理,采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器.这种激光器制作工艺简单,对有效光子状态密度调制较大,是比较理想的半导体微腔激光器.
微碟激光器 有效光子状态密度 光抽运 电偶极子 品质因数
长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
用改进的液相外延方法(LPE)生长了无铝的InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱半导体激光器，测量其远场分布近似为高斯分布。用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型，并简单解释了其生成原因，为改善光束质量提供了参考。
半导体激光器 分别限制异质结构 光波导
长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022
利用一种改进的液相外延技术进行了GaAs衬底上InGaAsO材料的生长,10 K温度下光荧光半宽度(FWHM)为14 MeV,获得了阈值电流密度为300 A/cm2的SCH多层结构外延片,宽台面激光器最大连续输出功率达到2.1 W。
液相外延 分别限制异质结构 阈值电流密度
长春光学精密机械学院近代光学所, 长春130022
报道超薄有源层AlxGa1-xAs/GaAs分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为680 ℃时,GaAs有源层厚度可低至25～35 nm。宽接触分别限制双异质结构LDs的室温连续阈值电流密度多在700～800 A/cm2。
液相外延生长 分别限制双异质结构LDs 超薄有源层
通过对描述半导体激光器基本光波导方程的数值求解，分析了AlGaAs/GaAs分别限制量子阱激光器的光学限制特性，比较了不同缓变结构及多量子阱结构的光学限制因子。
分别限制异质结构(SCH量子)阱激光器 光波导 限制因子
本文报道平凸波导压缩大光腔半导体激光器,对其外延生长、结构及波导特性作了讨论和分析.
平凸波导 半导体激光 有源层
1 河北工学院半导体器件室自动化工程系
2 长春光学精密机械学院现代光学研究所
用液相外延方法制做了十五个氧化物条形半导体激光器集成在一起的耦合多条形激光器,实现了锁相工作,脉冲峰值功率为4W/plane(300ns,5kHz).在对单条形激光器的模式特性完成数值分析的基础上,运用耦合模理论,对耦合多条形激光器的波导特性进行了数值分析和计算,计算结果和实验基本一致.
锁相列阵 数值分析 耦合多条形激光器
用液相外延法研制了GaAs-(AlGa)As大光腔激光器,并给出它的一些主要参数如脉冲光功率、光束发散角、波长、外微分量子效率等的测试结果.
