1 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 00083,China
2 Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering，University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
提出了一种基于平面光波导工艺的带有可调定向耦合器的非对称MZI结构.模拟结果显示，当定向耦合器的两个耦合臂的折射率独立改变时，定向耦合器的调制效果较好；当调制电极与耦合区的波导间距为0时，两个耦合臂的温度差达到最大.测试得到，AMZI的插入损耗为2.05 dB，延迟时间为151.4 ps，脉冲对的功率比近似为1.该器件有助于提高集成QKD器件的性能.
非对称MZI干涉仪 热场模拟 量子密钥分发 asymmetric Mach-Zehnder interferometer thermal field simulation quantum key distribution
中国科学院半导体研究所光电系统实验室, 北京 100083
基于光纤中高相干光源（相干长度大于100 km）的瑞利散射光的统计特性，采用随机相向量模型，推导了光纤中瑞利散射光的功率分布和相位分布，指出瑞利散射光功率的概率密度函数(PDF)符合修正的莱斯分布，而瑞利散射光的相位分布近似为高斯分布。采用高灵敏度的光电探测器对不同长度的光纤的瑞利散射光功率进行了测试，实验结果与理论吻合，同时发现不同长度光纤的瑞利散射光功率的最大值随平均值线性增加。
统计光学 瑞利散射 概率密度函数 高相干光源
