测量了汞卤化物（HgBr2,HgI2）含有Ne、N2、Xe时的放电光谱,用余辉法研究了它的动力学过程。实验结果表明:汞卤化物的（BΣu+→X2Σu+）态发射光谱是由电子碰撞、彭宁反应和碰撞能量转移引起的。
叙述了用探针法测量脉冲氙灯的电极位降的方法,对五种不同电极材料的脉冲氙灯进行了阴极位降和阳极位降的测定。实验发现脉冲氙灯的阴极位降近似地与电极材料的逸出功成正比。计算了阴极位降区的空间宽度和电场强度,理论和实验尚能一致。
分析了影响氦-氖管寿命的因素。用质谱方法对氦-氖管中气体成分进行了半定量分析,结果指出氦-氖管的管口与腔片环氧胶封是主要的放气源,放出的气体主要有H2、N2和CO2等。研制成功新的铟封工艺,革除了环氧有机粘结剂,使氦—氖管的寿命有了显著的提高。
