阮仁杰 1,2,3曹银花 1,2,3王晓帆 1,2,3马艳红 1,2,3[ ... ]兰天 1,2,3,*
作者单位
摘要
1 北京工业大学 北京市激光应用技术工程技术研究中心, 北京 100124
2 北京工业大学 跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室, 北京 100124
3 北京工业大学 材料与制造学部 先进半导体光电技术研究所, 北京 100124
为解决现有点阵结构光投影装置中准直透镜会导致较强的零级衍射而造成投影点阵光强分布不均匀的问题,提出了一种基于底发射垂直腔面发射激光器的片上点阵光投影装置结构,并给出了衍射光学元件设计思路。首先对目标光场进行光强调整和坐标变换,在无准直透镜情况下利用基于瑞利-索末菲衍射积分的Gerchberg-Saxton改进算法获得片上衍射光学元件的相位分布,并最终对该点阵投影装置的投影效果进行评估。结果表明:在衍射光学元件设计过程中采用高斯光束作为光源时,该结构能更好地抑制零级衍射,获得光强分布更加均匀的投影点阵。此外,该结构不仅可省去透镜的安装,减小投影装置尺寸,还可通过流片工艺实现光源和衍射光学元件一体化集成。
衍射光学 片上结构光 瑞利-索末菲衍射积分 衍射光学元件 Gerchberg-Saxton算法 底发射VCSEL diffractive optics on-chip structured light Rayleigh-Sommerfeld diffraction integral diffractive optical element Gerchberg-Saxton algorithm bottom-emitting VCSEL 
红外与激光工程
2022, 51(6): 20210640
作者单位
摘要
1 大连交通大学材料科学与工程学院,大连 116028
2 清华大学,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084
本文利用简单、高效的浆料直接发泡法制备气孔率高达96%的Al2O3/Si泡沫陶瓷,并选用简便、易行的焦炭埋烧工艺在Al2O3/Si泡沫陶瓷坯体中生长出大量SiC纳米线。通过控制烧结温度来观察分析SiC纳米线的生长形貌变化。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪、BET比表面积测试仪、电子万能试验机等对泡沫陶瓷的微观结构、物相组成、比表面积、气孔率、抗压强度、热导率进行分析与表征。结果表明,1 450 ℃烧结时得到的SiC纳米线最多,纳米线在泡沫陶瓷孔壁交织缠绕。同时观察到SiC纳米线的存在改变了氧化铝泡沫陶瓷固有的脆性断裂模式,SiC纳米线可有效促进泡沫陶瓷在压缩过程中的裂纹偏转。本实验制备了一种新型的纳米线缠绕在孔壁上的三维网络结构的泡沫陶瓷,为在泡沫陶瓷内部原位生长SiC纳米线提供了新的方法,更好地拓展了泡沫陶瓷在环境过滤、催化剂载体等领域中的应用。
氧化铝泡沫陶瓷 SiC纳米线 埋烧 直接发泡法 烧结温度 纳米线原位生长 三维网络结构 alumina foam ceramics SiC nanowire burying sintering direct foaming method sintering temperature in-situ growth of nanowire three-dimensional network structure 
人工晶体学报
2022, 51(7): 1275
作者单位
摘要
1 北京工业大学 先进半导体光电技术研究所,北京
2 陕西科技大学材料原子分子科学研究所,西安
根据激光光束质量国际标准,采用光束质量[M2]因子来评价相干阵激光的光束质量,并采用拟合相干阵激光传输双曲线方程的方法计算了相干阵激光在不同波长、子光源半径、占空比、阵列宽度等参数条件下的[M2]值。考虑到采用拟合双曲线方程来计算[M2]值存在较大的误差,同时采用桶中功率比(BQ)对相干阵激光的光束质量进行计算。根据所提出的BQ值与[M2]值的关系式,通过计算BQ值得到相干阵激光在不同参数情况下稳定的[M2]值。计算结果表明,相干阵激光的光束质量接近衍射极限。
相干阵激光器 相干合成 光束质量 [M2]因子 桶中功率比 coherent array laser coherent combination beam quality [M2] factor power ratio in bucket 
光电技术应用
2022, 37(2): 36
作者单位
摘要
1 北京工业大学 先进半导体光电技术研究所, 北京
2 陕西科技大学 材料原子分子科学研究所, 西安
研究了一维相干阵半导体激光器在远场的光束传输特性。通过建立数学物理模型, 模拟计算了一维相干阵激光器的激光光束在远场的光强分布, 分析了阵列长度、波长和占空比对不同距离处相干阵远场快慢轴方向光斑宽度的影响。研究表明, 受一维相干阵半导体激光慢轴方向子光源相干作用的影响, 在远场, 相干阵半导体激光器的慢轴方向光斑宽度与快轴方向宽度相比, 相差约4个数量级, 激光光斑呈现“刀片”状分布。
相干阵激光器 相干合成 光斑宽度 coherent array laser beam coherent combination spot width 
光电技术应用
2021, 36(6): 40
潘建宇 1,2,3曹银花 1,2,3闫岸如 1,2,3关娇阳 1,2,3[ ... ]王智勇 1,2,3
作者单位
摘要
1 北京工业大学 北京市激光应用技术工程技术研究中心,北京 100124
2 北京工业大学 跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室,北京 100124
3 北京工业大学 材料与制造学部先进半导体光电技术研究所,北京 100124
针对大功率半导体激光器散热系统展开设计研究。首先,对水冷散热系统的流体通道中的冷却液进行了流体分析,结果表明在传统矩形流体通道结构中,冷却液在进液口处和弯度较小处容易产生湍流空洞。湍流空洞不仅会产生空泡腐蚀效应,还会导致靠近热源的上层冷却液填充不充分,降低系统的散热效率;其次,在传统流体通道结构的基础上,提出了一种非典型宏通道结构的优化模型。采用有限元分析软件Fluent分别对散热模型的分布和激光器模块器件的分布进行了数值模拟,流场结果表明优化模型中冷却液流动时没有湍流空洞产生,散热系统可靠性更高,冷却液在流体通道的上层填充效果更好,同时解决了传统模型中流体在局部流道中流速缓慢的问题,使散热系统具备更良好的散热性能。接着又通过温度场仿真结果得出,优化模型搭建的散热系统工作时激光器最高温度可降低2 ℃,且热源1上温度更均匀,热源3上温度降低1.25 ℃;最后,在激光器满功率输出情况下进行的散热实验对比,获得的实验数据与仿真结果基本一致。
散热系统 半导体激光器 Fluent 流场分析 温度场分析 cooling system semiconductor laser Fluent flow field analysis temperature field analysis 
红外与激光工程
2021, 50(12): 20210037
作者单位
摘要
1 北京工业大学先进半导体光电技术研究所, 北京
2 陕西科技大学材料原子分子科学研究所, 西安
将激光器阵列的各个子激光光源进行相干合成, 从而获得相干阵激光输出, 这是得到高光束质量、高功率激光输出的一种有效方法。根据光束质量国际标准, 采用桶中能量(功率)比计算相干阵激光远场的光束桶半径, 通过拟合得到相干阵激光光束传输的双曲线方程, 从而计算出相干阵激光器光束质量 M2因子。计算结果表明, 相干阵激光器的光束质量接近基模高斯光束的光束质量。
相干阵激光器 相干合成 光束质量 coherent array laser coherent combination beam quality 
光电技术应用
2021, 36(5): 77
作者单位
摘要
1 北京工业大学材料与制造学部 先进半导体光电技术研究所, 北京 100124
2 中国电子科技集团公司第五十三研究所, 天津 300308
在半导体激光器的光纤耦合系统中, bar条的各发光点指向偏差(偏向角)会恶化光束整形效果, 显著降低光纤耦合效率。针对该现象提出利用引入修正角的楔形整形镜补偿发光点的指向偏差, 改善激光束的指向性和光束整形效果。通过ZEMAX软件模拟与实验验证,在光纤耦合系统中使用引入修正角后的楔形整形镜片, 其整形效果显著改善, 测量的光束参数积(BPPs)在快轴和慢轴方向分别为7.25 mm·mrad和5.05 mm·mrad, 聚焦光斑为148 μm×135 μm(包含90%能量)。该系统将单个bar条耦合进芯径200 μm、数值孔径(NA)0.2的光纤中, 在注入电流60 A时, 获得稳定输出功率53 W, 对应电-光转换效率为47%, 光纤耦合效率为87%, 相对于使用修正前的楔形整形镜片, 光纤耦合效率提高了7%。
半导体激光器 楔形整形镜 光束整形 光纤耦合 diode laser bars wedge-shaped lens beam shaping fiber coupling 
发光学报
2021, 42(1): 98
作者单位
摘要
北京工业大学 激光工程研究院,先进半导体光电技术研究所,北京 100124
为了进一步提高多单管半导体激光器的输出功率,通过对常见的阶梯型多单管半导体阵列进行分析,提出在光斑尺寸较小的慢轴方向对光束进行填充,在同样的耦合条件下,使更多的激光能量耦合进光纤中,实现更高功率的输出。文中使用光参数积作为评价光束质量的指标,论证了慢轴光束填充的可行性,利用ZEMAX仿真软件对8路常见阶梯型多单管半导体阵列和12路填充阵列进行对比仿真,在不影响耦合效率的前提下,实现了将12路波长为860 nm、输出功率3 W的单管半导体激光器耦合进芯径105 μm、数值孔径0.22的光纤中,光纤输出功率为33.4 W,光纤耦合效率为92.78%。仿真结果表明,对慢轴方向进行光束填充可以在一定程度上提高多单管半导体激光的功率输出。
单管半导体激光器 空间合束 光纤耦合 ZEMAX single emitter diode laser spatial combination ZEMAX fiber coupling 
强激光与粒子束
2020, 32(7): 071005
作者单位
摘要
北京工业大学 激光工程研究院, 北京 100124
通过在N型分布布拉格反射镜(DBR)中采用高热导率AlAs材料, 且增加AlAs层所占的厚度比例, 在保持DBR反射率基本不变的情况下, 大幅度增加了N型DBR的热导率, 提高了器件高温工作性能。制作了氧化限制型顶发射VCSEL器件, 不同温度条件下的直流测试结果表明:25 ℃时热反转功率超过8 mW;85 ℃ 时热反转电流为11 mA, 功率达5 mW, 表现出较好的高温工作特性。远场发散角小于17°。0~70 ℃的温度条件下眼图都较清晰, 表明器件满足高温25 Gbit/s工作要求。
分布布拉格反射镜 垂直腔面发射激光器 量子阱 金属有机物化学气相淀积 distributed Bragg reflector vertical cavity surface emitting lasers quantum well metal-organic chemical vapor deposition 
发光学报
2019, 40(5): 630
作者单位
摘要
北京工业大学 激光工程研究院, 北京 100124
在湿法氧化过程中采用一种自制的新型红外光源显微镜和CCD相机俯视成像系统监测被氧化晶圆片上氧化标记点颜色的变化, 通过CCD相机得到的氧化标记点尺寸大小与实际氧化标记点尺寸大小的比例计算, 由氧化标记点变化颜色的尺寸大小获得实际晶圆被氧化尺寸大小, 反馈调节氧化工艺, 保证控制垂直腔面发射激光器(VCSELs)的氧化孔径精度在±1 μm。根据氧化实验总结高Al组分含量对氧化孔形状影响、氧化速率随温度变化及氧化深度随时间变化规律, 得到在炉温 420 ℃、水浴温度 90 ℃、氧化载气N2流量 200 mL/min的工艺条件下, 氧化速率为 0.31 μm/min, 实现量产高速调制 4×25 Gbit/s的850 nm VCSELs。室温条件下, 各子单元器件工作电压为 2.2 V, 阈值电流为 0.8 mA, 斜效率为 0.8 W/A。在 6 mA工作电流下, 光功率为 4.6 mW。
垂直腔面发射激光器 湿法氧化 氧化规律 vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs) AlxGa1-xAs AlxGa1-xAs wet oxidation oxidation rules 
发光学报
2018, 39(12): 1714

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