1 东北林业大学 生物质材料学与技术教育部重点实验室，哈尔滨 100040
2 哈尔滨工业大学 化工学院，哈尔滨 150001
3 哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院，哈尔滨 150040
4 哈尔滨师范大学 物理系，哈尔滨 150080
在同成分LiNbO3中，掺入ZnO的摩尔分数分别为1%、3%、5%、7%和9%，掺入(质量分数)0.03% MnCO3和0.08%Fe2O3，采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-红外吸收光谱，抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7%和9%时，OH-吸收峰移到3 528 cm－1,讨论OH-吸收峰移动机理.随着Zn离子浓度增加，抗光损伤能力增加.Zn离子浓度增加到7%,达到阈值.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体高二个数量级，研究高掺锌Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤增强机理.随着Zn离子浓度增加，Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭反射率降低，位相共轭响应速度增加.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭镜消除了光波的位相畸变.以Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作存储介质进行全息关联存储实验.讨论全息关联存储的工作原理.以原图象的25%和50%进行寻址，在输出平面上接收到较完整的存储图象.
Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体 位相共轭性能 全息关联存储 Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3 crystals Phase conjugation properties Holographic associative storage
1 哈尔滨师范大学物理系, 哈尔滨 150080
2 哈尔滨市教育研究院, 哈尔滨 150020
从线全息图出发, 讨论了获得大景深无狭缝彩虹全息图的记录和观察条件, 并通过实验记录了大景深彩虹全息图。
彩虹全息 线全息图 景深
1 哈尔滨师范大学物理系, 哈尔滨 150080
2 哈尔滨科技大学技术物理系, 哈尔滨 150080
采用合成狭缝的方法，不用透镜成像，直接对三维漫射物体一次拍出彩虹全息图。这个全息图重现像的观察范围很宽，视场不受透镜孔径的限制。对该方法作了理论分析，并给出实验结果。
彩虹全息术 合成狭缝
本文提出一种新的三维漫射物体的一步彩虹全息方法.该法是在曝光过程中将被摄物体与成像透镜同时沿垂直光轴方向移动,并通过场镜使合成狭缝直接成像在场镜后焦面上,可得到较大观察范围的无畸变彩虹全息像.
彩虹全息术
