西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010
为了使复杂的纳米MOSFET毫米波噪声物理模型可用于工程设计，研究了其简洁模型的表达形式。通过器件的双端口相关噪声矩阵变换和分析，实现了复杂的噪声物理模型的简化。所提出的简洁模型不仅高精度地表征了器件的非准静态效应，并且可通过Verilog-A语言以四结点的形式，直接嵌入到ADS仿真设计工具，从而在保证精度的同时，大大降低了设计的复杂度。实验结果验证了所建模型在强反型区和弱反型区均比现有的三结点模型具有更高的准确性。
纳米MOSFET 毫米波 双端口网络 非准静态效应 nanometer MOSFET millimeter wave two-port network non-quasi-static effect 强激光与粒子束
2019, 31(8): 084102
