刘凯宝 1,2杨晓红 1,2,*何婷婷 1,2王晖 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100086
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
单光子雪崩光电探测器(SPAD)具有雪崩增益大、响应速度快、探测效率高、易于集成的特点。SPAD阵列器件可进行弱光三维成像,在生物化学、量子通信、激光雷达等领域具有重要应用。因此开展SPAD器件及阵列探测技术的研究具有非常重要的意义。给出了近红外InGaAs/InP SPAD单元工作原理和阵列结构性能,对暗计数率、探测效率、后脉冲等主要影响因素和器件优化方向进行总结,概述了近年来SPAD阵列器件的主要技术方案,给出了串扰来源和消除方法,并对相关研究单位的技术与结果进行对比。
探测器 雪崩光电二极管 阵列 红外波段 三维成像 
激光与光电子学进展
2019, 56(22): 220001

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