刘大鹏 1吴伟冲 1雷訇 1,2,3,4,**朱占达 1,2,3,4[ ... ]李强 1,2,3,4,*
作者单位
摘要
1 北京工业大学材料与制造学部激光工程研究院,北京 100124
2 北京市激光应用技术工程技术研究中心,北京 100124
3 激光先进制造北京市高等学校工程研究中心,北京 100124
4 跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室,北京 100124
报道了一种LD侧面泵浦铒镱共掺磷酸盐玻璃波导被动调Q激光器。采用无胶键合技术,在波导芯层(原子数分数1% Er3+,21% Yb3+∶glass)的四侧键合厚度为0.1 mm的掺钴硼硅酸盐玻璃(Co2+∶glass)作为包层,阻断放大自发辐射(ASE)的形成通路,提高激光输出效率。波导两侧分别键合硼硅酸盐K9光学玻璃作为泵浦光传输层,改善泵浦均匀性,提高输出激光的光束质量。在自由运转模式下,激光器输出的最大脉冲能量为34.7 mJ,斜率效率为10.6%。被动调Q模式下,获得稳定输出单脉冲能量2.16 mJ、脉宽4.7 ns、峰值功率459 kW的1.535 μm脉冲激光,光束质量因子M2=1.53。实验结果表明,在Er3+,Yb3+∶glass的四侧键合Co2+∶glass是抑制其内部ASE效应、提高激光器单脉冲能量输出的有效方法。
激光器 固体激光器 波导 侧面泵浦 被动调Q 
激光与光电子学进展
2023, 60(9): 0914005
作者单位
摘要
联合微电子中心有限责任公司, 重庆 401332
为实现光栅耦合器与光纤的高效率耦合, 基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)超低损耗氮化硅平台, 成功设计并开发了与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的低损耗、小尺寸氮化硅光栅耦合器。首先对光栅关键参数进行了仿真计算, 选择最优参数进行光栅耦合器的设计。然后, 基于CUMEC超低损耗氮化硅平台, 采用聚焦光栅结构, 极大地缩小了光栅耦合器的尺寸, 得到的氮化硅聚焦光栅耦合器小线宽结构制备良好。搭建了光学测试系统完成聚焦光栅性能表征, 测试结果表明, 损耗最优值为4.48 dB, 对应波长1548 nm, 1 dB带宽大于45 nm。
聚焦光栅 氮化硅平台 集成光子 低压化学气相沉积 focused grating coupler, SiN platform, integrated 
光通信技术
2022, 46(4): 68
吕世威 1朱占达 1,2,3,4刘大鹏 1惠勇凌 1,2,3,4[ ... ]李强 1,2,3,4,*
作者单位
摘要
1 北京工业大学材料与制造学部激光工程研究院,北京 100124
2 北京市激光应用技术工程技术研究中心,北京 100124
3 激光先进制造北京市高等学校工程研究中心,北京 100124
4 跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室,北京 100124
实验设计和研究了一种激光二极管(LD)角侧泵浦Nd∶YAG电光调Q激光器,实现了高效率1064 nm脉冲激光输出。以低掺杂Nd∶YAG晶体为增益介质,将Sm∶YAG吸收材料键合在Nd∶YAG晶体四周(非激光方向)用于抑制放大自发辐射(ASE)和寄生振荡,将YAG晶体键合在Sm∶YAG晶体上以构成复合板条激光晶体。采用对称角侧泵浦方式直接抽运,泵浦光在复合板条激光晶体中多次全反射,多次被Nd∶YAG晶体吸收,可用于实现长光程吸收,提高泵浦光吸收效率。在重复频率为5 Hz、输入电流为170 A的条件下,获得了单脉冲能量为106 mJ、脉宽为15 ns的激光输出,光光转换效率为30.1%,输出能量动静比高达94.64%。实验结果表明:所设计的复合板条激光晶体结构有效抑制了ASE和寄生振荡,所提方法为1064 nm调Q脉冲激光的高效率输出提供了有效途径。
激光器 Nd∶YAG 电光调Q 放大自发辐射 
中国激光
2022, 49(17): 1701004
刘大鹏 1,2,*陈超 1秦莉 1张星 1[ ... ]宁永强 1
作者单位
摘要
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室,长春 130033
2 中国科学院大学,北京 100039
通过构建外腔半导体激光器的等效腔模型,并在修正的肖洛-汤斯线宽公式中引入外腔压窄因子,系统模拟了光纤光栅外腔半导体激光器的电流阈值特性和线宽特性。以等效腔模型为基础,综合考虑外腔压窄因子,利用修正后的肖恩-汤斯公式,使用Matlab对外腔激光器的阈值和线宽特性进行了系统的模拟。模拟结果表明:通过增加外腔反射率,可有效增加光子寿命并降低阈值载流子浓度,进而获得较低的阈值电流,对于0.81的外腔等效反射率,阈值电流低至3.83mA;通过增加外腔反射率、耦合效率和外腔长度,可显著压窄线宽至千赫兹量级;此外,合理限制增益芯片尺寸也会压窄线宽。激光器工作电流为60mA时,当外腔光栅反射率由0.1提高至0.9可使阈值电流由9.04mA降低至4.01mA,线宽由95.27kHz降低至1.34kHz;当外腔长度由2cm增加至6cm时,激光器线宽由3.20kHz降低至0.36kHz。
半导体激光器 外腔 等效反射率 线宽压窄因子 窄线宽 semiconductor lasers external cavity effective reflection coefficient linewidth compression factor narrow linewidth 
半导体光电
2016, 37(2): 165

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