利用CO2激光辅助等离子体激励式化学气相沉积系统(Laser-assistedPlasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,or LAPECVD),在硅(Si)基片上沉积出非晶形含氢较低的氮化硅(a:Si-Nx:H)薄膜。这些薄膜的折射率增加、膜致密性及平整度良好,其抗腐蚀性亦明显提升。LAPECVD沉积法是在电容式RF放电解离反应气体的同时,以输出功率密度3.3W/cm2的CO2激光斜向照射在硅基片上。因为激光斜照在硅基片上所提升的温度只有55℃,且可大量减少膜中的氢含量,以波长10.58μm激光照射获得的薄膜品质较波长9.52μm更佳,将此一非热效应的发生原因提出推论。
低氢氮化硅薄膜 CO2激光辅助 等离子体激励式化学气相沉积
1 高雄科学技术学院机械系,高雄
2 中央大学光电科学研究所,中坜
利用CO2激光连续脉冲频率的快慢，平均功率的大小，加上辅助空气吹气压力的变化及其之间的相互作用，探讨氧化铝陶瓷基片控制断裂切割的最佳模式。
CO2激光 断裂切割 氧化铝陶瓷片
用四种饱和吸收体(醋酸盐塑胶状染料,LiF:F2-,Cr4+:YAG,离子性色滤片玻璃(colour filter glass))做被动式调制元件,对Nd:YAG激光器等做纯Q值调制及Q值调制包络的锁模调制。分析了Cr4+:YAG晶体材料的参数值、能级跃迁及其原子速率方程式(Rate equation)对产生Q值调制及锁模调制的物理机制；并优化了Cr4+:YAG晶体及激光共振腔和操作工作点,使其达到最低阈值、最高效益及100%锁模调制的激光输出。
Q值调制及锁模调制 Nd:YAG激光 被动激光调制
利用CO2激光连续脉冲频率的快慢，平均功率的大小，加上辅助空气吹气压力的变化及其之间的交互作用，来探讨氧化铝陶瓷基片钻孔的最佳模式。
CO2激光 钻孔 氧化铝陶瓷片
1 中央大学光电科学研究所,台湾
2 工业技术研究院工业材料研究所
研制成功了共振逆变器激励无声放电快速轴流二氧化碳激光器，其电极是以电弧涂层法制作，覆盖于石英放电管的外壁。电极几何形状采用了平行和螺旋等方式，实验证明螺旋电极比平行电极的放电更为均匀，输出也较高。此激光器以CO2:N2:He=1:17:2的混合气比及5 kPa的氧压操作，输出225 W功率时能量转换效率８%。
二氧化碳激光器 无声共振放电 涂层电极
