通过控制室温下射频磁控溅射过程中不同的氩气工作气压、溅射功率和沉积时间，在石英玻璃上沉积Al掺杂ZnO(AZO)薄膜，探究了三种工艺条件对制备的AZO薄膜的微结构及光电性能的影响。所制备的AZO薄膜经500℃退火后均为六方纤锌矿结构，具有优异的透明度，在可见光范围内的平均透过率均在86%以上。在气压0.25Pa、功率200W下，溅射时间为10min时，薄膜的电阻率低至5.04×10-3Ω·cm，而溅射时间为15min时，Haacke性能指数最优，为0.314×10-3Ω-1。结果表明，磁控溅射制备的AZO薄膜的晶体结构、方阻和透过率等特性与制备过程中的气压、功率和时间密切相关，通过评价性能指数可指导优化AZO薄膜的制备工艺。

利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO2缓冲层, 并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜, 研究了SnO2缓冲层厚度对于氧化钒薄膜微观结构、相组成以及相变性能的影响。结果表明, 引入具有四方金红石结构的SnO2缓冲层后, 上层氧化钒薄膜的结晶性变好, 随着SnO2缓冲层厚度的增加, 沉积的氧化钒薄膜中V4+含量逐渐提高, 氧化钒薄膜的平均晶粒尺寸增大, 成膜质量变好; 相变锐度有所降低, 热滞回线宽度减小。这些结果表示SnO2缓冲层的引入有利于在硅衬底上生长高质量且相变性能优越的VO2薄膜。

采用反应直流磁控溅射法, 通过调控溅射过程中的氩氧比, 在石英玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜, 研究了溅射气氛及后处理条件对其微结构与电学性能的影响。经450和500℃退火, 薄膜中易形成VO2, 而550℃退火时薄膜中会形成大量非4价的钒氧化物。薄膜在较高温度500℃下退火时结晶度增加, 但薄膜颗粒之间的间隙更为明显, 导致电阻率显著提高; 同时其电阻率-温度曲线的热滞回线宽度较窄, 在加热过程中相转变温度较高。当氩氧比中氧含量增加时, 沉积的VO2薄膜中生成了少量非4价的钒氧化物。结果表明, 反应磁控溅射法制备的氧化钒薄膜的微结构、电阻率、相变温度等特性与氩氧比和后退火温度密切相关。

针对MATLAB标定工具箱的标定精度与所拍图像数量成正比的问题，即拍摄照片数量越多标定精度越高，提出了一种基于粒子群算法的摄像机内参数优化方法，从而达到拍摄少量图片也可以有较好精度的效果。首先摄像机从不同角度拍摄4张和20张标定板图片，利用MATLAB标定工具箱分别求取它们的内参数。然后根据标定点的实际坐标和反投影坐标建立目标函数，再由粒子群算法对标定箱求取的内参数进行优化。实验结果对比表明：与MATLAB标定工具箱相比，此方法能够在一定程度上提高少量标定板图片的标定精度。