通过对半导体材料中载流子迁移率的特性分析,在原HPM探测器的 基础上,提出了探测器中半导体传感器的新设计,使探测器的检测灵敏度提高一个量级;同 时研制成功S波段HPM探测器.在传感器的加工方面采用了新的工艺,并对电源进行了改进, 使之功能完善、使用简单、具有实用性.其电源偏压在40V时,X波段的探测器在60kW时输出 检测脉冲信号幅度高达9V,S波段的探测器在600kW时输出检测脉冲信号幅度高达10V,可适用于10～500ns脉宽的HPM功率测量.
高功率微波 功率测量 半导体 探测器 high power microwave （HPM） power measurement semiconductor detector
1 清华大学加速器实验室,北京,100084
2 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
建立了利用储能切换法实现微波脉冲压缩的实验装置并进行了实验研究。在输入脉冲功率为2.7MW,脉冲宽度为1.4μs的情况下,脉冲压缩功率增益近40,输出微波脉冲功率为106MW,脉宽为13～14ns。实验结果表明输出功率增益与气压和气体成分没有明显的联系,气体击穿的分散性可能是导致输出功率增益波动的主要原因。
脉冲压缩 高功率微波 微波击穿 pulse compression high power microwave microwave discharge
