Ga2O3是一种新兴的宽带隙半导体，在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景。前期研究以β-Ga2O3为主，并且已经对β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算，本文主要研究ε-(AlxGa1-x)2O3作为势垒层对ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结电子输运性质的影响，首先介绍了ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结的结构和性质，分析计算了由于ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结的自发极化和压电极化所产生的极化面电荷密度，以及极化对2DEG浓度产生的影响，接着分析了在不同Al摩尔组分下，ε-(AlxGa1-x)2O3势垒层厚度与合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射之间的关系。最后通过计算得出结论: 界面粗糙度散射和极性光学声子散射对ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结的电子输运性质有重要影响，合金无序散射对异质结的输运性质影响较小; 2DEG浓度、合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射的电子迁移率强弱由ε-(AlxGa1-x)2O3势垒层的厚度和Al摩尔组分共同决定。
2DEG浓度 电子迁移率 ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结 合金无序散射 界面粗糙度散射 极性光学声子散射 2DEG concentration electron mobility ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3 heterojunction alloy disorder scattering interface roughness scattering polar optical phonon scattering
1 北京交通大学 理学院, 北京100044
2 国家纳米科学中心 中国科学院纳米标准与检测重点实验室, 北京100190
采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料, 对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明: 随着WSe2层数的增加, 其光致发光强度单调下降; 当WSe2层数从单层增加为双层时, 其发光强度急剧下降, 表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研究了双层WSe2的变温光致发光谱, 发现随着温度的升高, 双层WSe2发光峰中A峰峰位的变化基本符合半导体带隙的温度变化规律, 而I峰峰位红移与温度基本成线性关系, 表明双层WSe2同时存在间接和直接跃迁, 且直接跃迁和间接跃迁特性不同。
二维纳米片层结构 光致发光谱 光谱红移 nanosheets WSe2 WSe2 photoluminescence red shift
1 北京交通大学理学院, 北京 100044
2 北京应用物理与计算数学研究所, 北京 100088
通过分析量子级联激光器(QCL)中各量子阱的生热及阱间的热流输运情况,得到它的热输运方程, 以此为基础类比电路理论建立了等效电路模型,利用计算软件分别进行理论与电路模拟,得到了它的生热特性, 并对可能影响其生热特性的一些因素进行了分析。
激光技术 量子级联激光器 电路模拟 热回路 有源区设计 laser techniques quantum cascade laser circuit simulation heat flow design of active zone
1 北京交通大学 理学院物理系,北京 100044
2 悉尼大学光纤技术中心,悉尼 1430
对F、P共掺杂光纤预制棒退火后的表面晶化行为进行了研究.由改进的化学汽相沉淀法制备的氟和磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒玻璃样品在6 h的1 150 ℃控温加热处理后，其表面发生晶化.用X-射线衍射仪观测其晶相，主要为α-方石英，可使玻璃具有二阶光学非线性；用光学显微镜观察了其表面形貌并对结晶微粒的大小进行测量，知晶粒大小在十几到几十μm之间，会造成散射损耗的增加.实验结果,还显示氟对结晶过程有很大的影响.
表面晶化 二氧化硅光纤预制棒 氟磷共掺杂 二阶光学非线性 Surface crystallization Silica fiber preform F and P co-doping Second-order nonlinearity
