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激光物理
SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备
杨平雄 1郑立荣 1王连卫 1林成鲁 1[ ... ]陆怀先 2
作者单位
摘要
1 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
2 南京大学固体微结构国家重点实验室, 南京 210008
采用脉冲准分子激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功地制备了SBT铁电薄膜,发现存在一个最佳沉积衬底温度约为450 ℃。在该温度下沉积的SBT薄膜具有较饱和的方形电滞回线,其剩余极化Pr和矫顽电场Ec分别为8.4 μC/cm2和57 kV/cm。
脉冲激光沉积 铁电薄膜 
PDF全文 Full Text
中国激光
1997, 24(5): 397
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