1 中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
2 中国科学院上海硅酸盐所,上海 200050
采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺,在Si(111)衬底上成功地制备了AlN晶态薄膜。X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明:薄膜具有(101)取向,平均晶粒大小为200 nm;薄膜介电性能优异,扩展电阻在108Ω以上。
氮化铝 脉冲激光沉积 介电性
1 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
2 南京大学固体微结构国家重点实验室, 南京 210008
采用脉冲准分子激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功地制备了SBT铁电薄膜,发现存在一个最佳沉积衬底温度约为450 ℃。在该温度下沉积的SBT薄膜具有较饱和的方形电滞回线,其剩余极化Pr和矫顽电场Ec分别为8.4 μC/cm2和57 kV/cm。
脉冲激光沉积 铁电薄膜