1 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
2 河南大学物理系,开封,475001
提出了适用于光聚物厚膜盘状高密度全息存储的角度空间复用相结合的存储方法。研究了光路设置对记录容量和密度的影响,分析和计算表明:对全息光盘光聚物全息存储介质来说,新方法可以获得比空间角度复用存储方法高近一个数量级的存储容量和密度,当使用平面波做参考光、介质内参物光入射角度在32°时是获得最大存储容量和密度的最佳设置;对500 μm厚的光聚物介质,存储密度可达到42 bit/μm2,用CD ROM同样大小的全息光盘,在其相同的有效记录面积上,其总容量可以达到400 Gbit,表明新方法是实用化光聚物盘状全息存储比较理想的方法。
信息光学 高密度全息存储 全息光盘 存储密度 角度选择性
对有机电致发光显示器件的发展历史,器件结构、工作特征、获得彩色显示的方法以及优缺点、发展现状和趋势等作了简要介绍.对小分子OLED与聚合物PLED、OLED与LCD的性质进行了比较,对OLED显示的发光机理进行了详细的综述.此外,对获得彩色显示的无源驱动电路和有源驱动电路的结构进行了总结,认为有源驱动将是最终发展结果.最后介绍了国内外OLED技术的发展状况.
小分子有机电致发光 有机聚合物电致发光 无源驱动 有源驱动 激光与光电子学进展
2003, 40(12): 31
1 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海800-216信箱,201800
2 河南大学物理系,河南开封,475001
研究了光聚物高密度全息存储材料在全息记录过程中曝光量、曝光时间、厚度收缩比例、折射率调制度及记录角度等因素对布喇格偏移的影响规律,结果表明:曝光量一定时,布喇格偏移与曝光时间的关系不大,当曝光量不一定时布喇格偏移随曝光时间增加缓慢增加最后达到饱和;而布喇格偏移随厚度收缩比例和折射率调制度的增加以接近正比例的关系增加;记录光栅的倾斜度越大则布喇格偏移也越大.这些结论对光聚物高密度全息存储研究具有重要的意义.
高密度全息存储 光聚物 布喇格偏移
1 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海800-216信箱,201800
2 河南大学物理系,开封,475001
本文用实验方法研究了光致聚合物的曝光时间常量、曝光能量常量、动态范围、曝光灵敏度和折射率调制度等高密度全息存储参量随样品厚度的变化规律,结果表明随着样品厚度的增加,曝光能量常量、曝光时间常量及材料的动态范围也增加,但材料的曝光灵敏度却减小,而折射率调制度却没有明显的变化规律.
高密度全息存储 光致聚合物
中国科学院上海光学精密与机械研究所,上海,201800
报导了一种新型的对绿光敏感的光致聚合物材料.该材料以丙烯酰胺为单体,由光引发剂,共引发剂,成膜物等组成.本材料记录的全息图衍射效率可达55%.在光聚物上采用角度复用技术存储了10幅图像,得到的再现像信噪比较高.说明该材料适合于大容量体全息存储.
光致聚合物 衍射效率 全息存储 角度复用
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
报道了一种以丙烯酰胺为单体的光致聚合物材料.通过对组成材料的三乙醇胺(TEA)、丙烯酰胺(AA)和亚甲基双丙烯酰胺(BAA)浓度的优化实验发现,三乙醇胺浓度有一个最佳值,当保持亚甲基双丙烯酰胺与丙烯酰胺的浓度比为1:6时,材料中丙烯酰胺的浓度达到0.25 mol/L后,衍射效率便达到最大值.材料的灵敏度随着丙烯酰胺的增加而不断地提高.在光聚物介质上能够记录信噪比较高的图像,说明该材料适合于大容量体全息存储.
光致聚合物 衍射效率 灵敏度 全息存储
1 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
2 河南大学物理系,河南,开封,475001
推导了光聚物全息存储布拉格偏移与记录角度的关系公式,数值计算的结果与实验符合很好. 结果表明,光聚物全息存储的布拉格偏移与记录角度有比较大的关系,对于倾斜光栅,记录过程中参物光夹角越小,布拉格偏移越大.该结果对光聚物高密度全息存储器光路的设计有参考意义.
高密度全息存储 光聚物 布拉格偏移
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
报道了一种新型的对绿光敏感的光致聚合物材料.该材料以丙烯酰胺为单体,由光引发剂、共引发剂、成膜物等组成.本材料记录的全息图衍射效率可达50%以上,对材料中染料浓度的优化实验发现其有一个最佳值.在光聚物介质上能够记录信噪比较高的图像.说明该材料适合于大容量体全息存储.
光致聚合物 衍射效率 全息存储
1 中国科学院上海光学精密机械研究所光存储研究室,上海,201800
2 河南大学物理系,河南开封,475001
报道了一种对绿光敏感的具有较高衍射效率(～60%)和折射率调制度的新型高密度全息存储光致聚合物(光聚物)材料的全息特性,从实验上研究了材料衍射效率随曝光量、记录光强和记录光强分光比的变化规律,较详细地分析了过曝光对衍射效率的影响.指出了过曝光技术不利于提高信息存储的密度.
光致聚合物 高密度全息存储 感光灵敏度
