1 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
3 微电子学院, 天津大学, 天津 300072
利用自主搭建的实验系统, 同步实时地测量了热致相变材料二氧化钒(VO2)薄膜在相变过程中的反射率及其涨落(噪声谱).实时傅里叶变换采集卡测得的噪声谱不仅可以像反射率测量一样给出样品的相变温度(55℃), 还在样品的高温区金属相里发现了一个明显的噪声峰(位于15~20 MHz), 而低温区半导体相的噪声谱几乎是平坦的.这种噪声峰也反映了薄膜样品中低温半导体相和高温金属相的晶体结构差异.噪声谱测量可以广泛地应用于相变材料的研究.
二氧化钒薄膜 噪声谱 同步测量 半导体-金属相变 反射率 vanadium dioxide thin film noise spectrum simultaneous measurement semiconductor-metal transition reflectance
1 中国科学院半导体研究所，北京100083
2 天津大学 电子信息工程学院，天津300072
利用射频磁控溅射方法在蓝宝石衬底上制备了氧化钒薄膜，X射线衍射的测量结果表明薄膜的主要成分是多晶二氧化钒.实现了二氧化钒薄膜半导体金属相变过程的电阻和五个不同波长下薄膜反射率的同步测量.实验结果表明，电学和光学测量都在相变过程中出现回滞曲线，但是二者的表现形式有明显差别.当用光学方法探测时，同一次相变过程中不同区域的反射率曲线几乎完全重合，证明了薄膜样品的均匀性.
二氧化钒薄膜 电学方法 光学方法 同步测量 反射率 vanadium oxide film electrical method optical method simultaneous measurement reflectivity
中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，北京100083
基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS)，确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明，随着测量温度的升高，能带带隙发生了蓝移现象; 而其与磁场的依赖关系表明，随着测量磁场的增大，能带带隙则发生了红移现象; 它们均与GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴的带填充效应有关.基于Kramers-Kronig关系的理论模拟给出了和实验测量相似的结果.
微波调制反射谱 二维电子系统 microwave-modulated reflectance spectroscopy two-dimensional electron system
中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室, 北京 100083
掌握微波辐照下的电子态性质是理解高迁移率二维电子气在低磁场区的纵向电阻振荡和零电阻态等新奇物理现象的关键.基于反射率测量的微波回旋共振技术(RODCR), 研究了高迁移率、低浓度GaAs/Al0.35Ga0.65As二维电子气在Ka波段微波辐照下的电子态性质.通过在不同条件下的RODCR测量, 具体讨论了微波交变电场方向、入射激光波长和温度等因素对RODCR测量结果的影响规律.研究结果表明, RODCR测量技术为研究二维电子系统的电子态性质提供了简便而有力的手段.
微波 反射率 二维电子气 回旋共振 microwave reflectance two-dimensional electron gas(2DEG) cyclotron resonance
1 中科院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083
2 Department of Physics, University of Arkansas, Arkansas, USA
比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时趋于饱和,而量子点的荧光寿命随激发功率变化缓慢;此外,量子链样品的荧光上升时间也比量子点的小得多.这些结果清楚表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在很强的耦合和输运.进一步分析表明,这种耦合作用主要发生在量子链方向.荧光的偏振特性进一步证实了这一点.
量子点 量子链 光学性质 InGaAs/GaAs
