长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
锥形半导体激光器具有高功率、高光束质量等特点, 因此受到广泛关注并成为研究热点。从3种结构(传统结构、分布式布拉格反射(DBR)结构、侧向光栅条纹结构)的锥形半导体激光器出发, 对国内外近十年具有代表性研究成果进行综述, 介绍其理论研究和实验进展, 并对锥形半导体激光器的未来发展进行展望。
锥形半导体激光器 传统结构 DBR结构 侧向光栅条纹结构 tapered diode laser traditional structure DBR structure lateral grating structure
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
锥形半导体激光器具有高亮度、高光束质量等特点。通过借助数值模拟仿真软件Lastip, 优化设计了976 nm锥形半导体激光器结构。在低光限制因子Г条件下, 确定了InGaAs/AlGaAs量子阱厚度及非对称波导厚度比值关键参数, 并分析了主振荡器的注入光功率和耦合进锥形区的基侧模衍射分布特性。研究结果表明: 与传统的单量子阱器件结构相比, 当光限制因子Г相同均为2%时, 在工作电流为3 A条件下, 优化设计的非对称双量子阱结构主振荡器的基侧模分布更为集中。其注入光功率由2.76 W提升至3.67 W, 同时耦合进锥形区的基侧模衍射分布更为均匀, 并具有稳定的电光转换效率。
锥形激光器 双量子阱 基侧模 注入光功率 衍射分布 tapered laser double quantum well fundamental lateral mode inject power diffraction distribution 红外与激光工程
2017, 46(12): 1205004
