1 天津大学 精密仪器与光电子工程学院 激光与光电子研究所,天津 300072
2 天津大学 光电信息技术教育部重点实验室,天津 300072
3 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津 300220
4 第三军医大学西南医院神经外科,重庆 400038
基于双温区法生长的高质量DAST(4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯酸盐)晶体,成功搭建了高能量、超宽带可调谐差频THz辐射源,系统尺寸40 cm×25 cm,调谐范围达到0.3~19.6 THz,最大输出能量达到4.02 μJ/pulse@18.6 THz,信噪比最高达到32.24 dB,结合振镜扫描技术,以0.1 THz为步长,超宽带光谱扫描时间小于1 min.实验中观测到差频产生THz波的输出饱和现象并研究了基于DAST晶体差频产生THz波的偏振特性与传输特性,证明基于DAST晶体差频产生的THz波消光比达到0.05,且差频过程满足0类相位匹配条件.基于该太赫兹辐射源,对多种固体样品在2~14 THz范围内的超宽带THz光谱信息进行了有效获取.
晶体 太赫兹 超宽带可调谐 DAST DAST, crystal terahertz ultra-wideband tunable 红外与毫米波学报
2019, 38(4): 04485
中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220
为了分析物理气相传输法碳化硅单晶生长系统中的温度分布, 采用Matlab软件对PVT工艺中的热场进行了模拟。以能量方程为基础分析了由传导和辐射这两种传热方式所决定的系统的热量分配;采用有限元素法对所建立的描述连续函数的偏微分方程进行数值化离散;应用迦辽金加权残值法对由近似函数表征的离散方程转化为矩阵方程的形式;设计了平均算法计算出了系统的温度分布。更好地了解了碳化硅晶体生长过程的物理实质,以便更有效地改进生长系统, 优化工艺参数。
碳化硅 物理气相传输法 热场 有限元 silicon carbide physical vapor transport method thermal field finite element