为获得具有高出光效率、高导热性能的发光二极管(LED)封装基板,采用直接敷铝(Al)工艺制备了铝/氧化铝(Al2O3)复合陶瓷基板并对其表面进行化学机械抛光处理。运用光学模拟软件Tracepro和热学模拟软件ANSYS对该陶瓷基板封装的LED光源的光学性能和热学性能进行了模拟计算,并和传统氧化铝陶瓷基板封装的LED光源进行了对比分析,最后将所制备的铝/氧化铝陶瓷基板封装成板上芯片直装(COB)型LED光源进行测试。模拟和实验测试结果均表明:直接敷铝工艺制备的铝/氧化铝陶瓷基板热传递速度更快,导热性能更加优异,更适合用于大功率LED光源的封装;铝/氧化铝陶瓷基板封装的的LED光源比基于传统氧化铝陶瓷基板的LED光源的光通量大,出光效率更高。

芯片级原子钟主要包括射频模块、物理封装模块以及其他的外围控制模块。射频模块的设计关系到芯片级原子钟的短期稳定度, 所以射频模块在芯片级原子钟的设计时是非常重要的一部分。本文利用数字锁相环技术实现频率为4.596 GHz的射频源, 射频源由三部分组成, 包括小数分频频率综合器、压控振荡器和环路滤波器。数字锁相环具有相位噪声低, 频谱稳定度高等特点。此外, 由于小数分频频率综合器是可编程的, 可以通过配置N分频器与R分频器实现输出频率的快速扫描。与此同时, 根据相关公式, 可以计算出三阶无源环路滤波器的近似参数值, 所设计的环路滤波器具有300 kHz的环路带宽以及55°的相位裕度。最后, 整个基于数字锁相环技术实现的射频源通过仿真、硬件实现以及测试。测试结果显示, 射频源的相位噪声为-74.02 dBc/Hz@300 Hz, 符合芯片级原子钟射频源的设计要求。