采用固相法烧结制备了Ag掺杂的La2/3Ca1/3MnO3(LCMO∶Agx，x为摩尔分数，x=0.00，0.05，0.10)多晶靶材，并利用此靶材采用脉冲激光沉积法(PLD)在0°和15°LaAlO3(100)单晶衬底(单面抛光)上于790 ℃和45 Pa流动氧压下制备了LCMO∶Agx外延薄膜，并于760 ℃和104 Pa静态氧压下进行了30 min原位退火处理； X射线衍射(XRD)和ω-θ摇摆曲线分析表明所制备薄膜均沿［00l］方向生长，并且结晶质量较好，原子力显微镜(AFM)分析表明平均面光洁度较小，并且随Ag掺杂量的增加而变小；另外在倾斜衬底上生长的LCMO∶Agx薄膜上观察到激光感生电压(LIV)效应，并且随Ag掺杂浓度的增加，LCMO∶Agx薄膜的LIV信号的Up值先增大后减小，x=0.05时最大，x=0.10时最小，LIV信号响应时间τ则正好相反。

采用脉冲激光沉积(PLD)技术，在SrTiO3(STO)单晶衬底上成功地制备了不同组分x(x=0.03，0.30，0.53，0.80，0.97)和掺杂M(原子数分数为3％，M=Na，Sr，Bi，Ce)的锆钛酸铅PbZrxTi1-x，PZT铁电薄膜。检测结果表明，所有薄膜都是单一取向生长的，且没有杂相存在，但组分的改变和掺杂元素的引入会对薄膜的结晶质量产生不同程度的影响。另外，在10°倾斜的SrTiO3单晶衬底上生长的PZT铁电薄膜中还清楚地观察到了激光感生热电电压(LITV)信号，且在能量密度为0.16 J/cm2的紫外脉冲激光辐照下，x=0.03组分的PZT铁电薄膜中的LITV信号最大，峰值电压为60 mV，而在Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜中，掺杂元素Na时LITV信号最大，峰值电压为61 mV，这与不掺杂时相比，其峰值电压增大了近50％。