1 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
2 天津大学精密仪器学院, 天津 300072
通过对硅酸镓镧(LGS)晶体旋光性与电光效应的交互作用的理论研究,推导出晶体旋光性和电光效应共同作用下的光强表示式I=1-4B2(Asin2ω-Ccos2ω)2。利用此表示式设计计算了旋光晶体LGS尺寸为8 mm×8 mm×25 mm电光Q开关在1064 nm波长使用时的开关电压和偏振角分别为4995 V和27.3°。将理论研究得到的结论应用于LGS晶体电光调Q的Nd∶YAG 晶体激光器的实验研究中,实验结果与理论计算结果基本一致。得到输出能量为361 mJ,脉冲宽度为7.8 ns的脉冲激光输出。
激光器件 电光Q开关 旋光性 电光效应 硅酸镓镧(La3Ga5SiO14)晶体
山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室,山东 济南 250100
模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态,建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置.通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究,得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图,并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关.
物理光学 旋光性 电光效应 偏光干涉 电光Q开关
1 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100
2 山东轻工业学院,山东,济南,250100
研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性.实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线.但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低.
热退火 KDP晶体 消光比 干涉 Thermal annealing KDP crystal Extinction ratio Interference
山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应,给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I =A20 cos2 β-(π/λ)(nl-nr)l,以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I =A20 cos2 β-(π/λ)(nl-nr)l+(π/λ)(n2 -n1)l 。根据这些表达式给出的关系,将典型的旋光晶体La3Ga5 SiO14制作成了电光Q开关,像那些用无旋光性晶体制作的Q开关一样工作良好。在中等功率输出的激光器中,La3Ga5 SiO14晶体电光Q开关有可能取代氘化磷酸二氢钾(DKDP)晶体电光Q开关
光学器件 电光Q开关 旋光性 电光效应 偏光干涉 La3Ga5SiO14晶体
首次测量了无孪无畴的KIO3晶体的主折射率和倍频系数.
KIO3晶体 折射率 倍频系数
用干涉法首次测量了Pb0.37Ba0.63Nb2O6晶体的线性电光效应,结果为γ99=70,γ13=6.4,γ51=-146×10-12M/V.
Pb0.37Ba0.63Nb2O6晶体 电光效应
在正交偏光干涉实验装置中,用DKDP晶体的电光效应补偿其它晶体电光效应所引起的光程变化,测量晶体电光系数相对于DKDP晶体γ63的数值,提出了一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法。
电光系数 比较法
