美国麻省理工学院的林肯实验室，在同一板基上设置对GaInAsP/InP半导体激光器和基板约成45度倾斜的反射面，制成一种面发光型激光器，制作中不用解理法。
激光与光电子学进展
1986, 23(10): 48
日本《原子力工业》杂志最近发表评论，认为不应受美、法的干扰，独立自主地建立铀浓缩产业。
1985年6月5日美国能源部作出了铀浓缩的战略决定，这是“技术评审委员会”一年工作的结晶。本文介绍该决定的内容、作出决定的背景、技术的选定以及日本的对策等。
日本古河电工借助于有机金属化学汽相淀积(MOCVD)法最近研制成日本首批砷化镓埋入式半导体激光器。用MOCVD法制作半导体激光器，与一般使用的液相生长法相比，具有优越的膜厚控制性能，可制成均质、表面缺陷少的结晶薄膜，此外，可使用面积较以往大得多的薄膜，能大幅度降低成本。
以锁模激光产生微微秒脉冲的最早报导发表于1965年，至今正好20年。这一期间超短脉冲激光器的开发以及用它而进行的超高速分光的发展，与激光的其它领域一样,是十分可观的。
日本保谷公司利用从声光调制器、声光偏转器出来的衍射光频率会随超声波频率而移动的性质、制成光频变换组件。这种组件的研制成功将使采用光外差检测法的各种测量更加廉价与简便。
西德的多仑普公司研制成世界上首次利用激光切割和机器人的装有激光器的复合金属板材加工系统。
日本工业技术计量研究院研究出高精度测定超大规模集成电路中微小图案线宽的测量装置。为测定图案的线宽，必须掌握检测刻线边缘位置的方法，并具有测定边缘间距的长度标尺。在这次开发的装置中，边缘位置由电子束检测，而用髙灵敏度激光干涉仪作长度标尺，因而能以毫微米的分辨率对微米量级的线宽作高精度测量。
激光与光电子学进展
1985, 22(11): 30
日本电子技术综合研究所最近完成了用可挠性光纤传输软X线(峰值波长为30埃)的实验研究。现在广泛使用的光纤的透过区域为：长波到2微米左右，短波到0.3微米=3000埃附近。在长波侧，已开始研究诸如用于二氧化碳激光在10微米波段内透过的光纤,但在短波方面，尚未对可用于紫外-真空紫外-X线领域中的光纤作开发研究。
激光与光电子学进展
1985, 22(11): 19
国际商业机械公司的瓦特生研究所研究出一种将极微小尺寸的膜精确地粘贴，形成金膜图案的技术，称为“激光喷金”技术，改善了计算机接插件的制;作方法，提高了制作速度。
