作者单位
摘要
1 北京理工大学光电成像技术与系统教育部重点实验室,北京 100081
2 中国通用技术研究院,北京 100091
通过将直径为 40 mm的像增强器与全画幅尺寸 CMOS直接耦合,对大尺寸直耦工艺进行了研究。针对使用透镜耦合制成的大尺寸 ICCD/ICMOS体积大、光能损失大以及光锥耦合的器件莫尔条纹较多等问题提出采用直接耦合的工艺制作 ICCD/ICMOS。文中研制的大尺寸 ICMOS可获取更大视场内的信息,整机分辨率可达 3800×1900 LW/PH,画面清晰,无明显莫尔条纹,结构紧凑,整机仅为手持数码相机大小,隐蔽性强,有利于在复杂环境中更准确、快速地获取目标信息。
直接耦合 光锥耦合 微光增强 direct coupling, ICMOS, light cone coupling, low l ICMOS 
红外技术
2021, 43(6): 537
作者单位
摘要
1 北京理工大学 光电学院,北京100081
2 中国通用技术研究院,北京 100091
通过将像素偏振片组阵列与CCD光敏元耦合对准,对像素偏振成像系统耦合技术进行了研究。针对偏振片组阵列与CCD尺寸不匹配的问题,采用多种工艺方法进行了加工处理,提出了完整的耦合对准工艺。文中研制的成像系统可以通过一片成像探测器同时获得4个不同偏振方向的斯托克斯分量,得到所拍摄物体的线偏振度图像和线偏振角图像,实现图像的偏振增强,经后处理形成所需要的偏振图像,有利于在复杂环境中获取目标信息。
像素耦合 目标探测 对准 成像质量 pixel coupling target detection alignment imaging quality 
红外与激光工程
2019, 48(9): 0925001
作者单位
摘要
1 32184部队,北京 100093
2 中国通用技术研究院,北京 100192
紫外成像设备是雪地伪装效果检测评估的常用设备。根据雪地伪装试验实际需求,结合现代成像技术,设计和实现了一套结构紧凑、低功耗、高灵敏度、高分辨率、快捷便携的雪地伪装检测紫外成像设备。通过实验验证表明,其具有良好的实用性和可靠性。
雪地 伪装检测 紫外成像设备 snow field camouflage detection ultraviolet imaging equipment 
红外技术
2018, 40(12): 1149
作者单位
摘要
1 云南电网有限责任公司电力科学研究院, 云南 昆明 650217
2 昆明理工大学 信息工程与自动化学院, 云南 昆明 650500
采用埋入式光纤Bragg光栅温度传感器, 实现了对干式空心电抗器固化过程中各包封层的温度监测。在制作过程中, 将温度传感器埋在干式空心电抗器导线外包封表面, 连接光纤从电抗器上沿引出。电抗器绕线与包封完成后放入干燥室内固化, 监测电抗器各包封层在固化过程中的温度变化。通过监测得到了电抗器各包封温度变化的曲线图, 当炉温示值稳定在140℃时, 各包封温度低于预期, 分布在105~125℃之间, 且由外向内逐渐降低。通过对干式空心电抗器固化过程中的温度进行监测, 可实时了解并改进干燥固化过程中出现的问题, 对保证电抗器的质量及安全具有重要意义。
光纤Bragg光栅 干式空心电抗器 包封 固化 温度监测 fiber Bragg grating dry-type air core reactor encapsulation solidification temperature monitoring 
光学技术
2016, 42(4): 333
作者单位
摘要
1 北京理工大学 光电学院 光电成像技术与系统教育部国家重点实验室, 北京 100081
2 北京利云技术开发公司, 北京 100191
理论上分析了CIDC1816型直耦增强数码相机在采集静态图像过程中像增强器阴极电压衰减时间对电子光学系统横向位移的影响.实验证明了阴极电压衰减时间会对荧光屏亮度衰减时间产生影响.提出了利用电子开关的高速响应特性来减小阴极电压衰减时间,以改善该类型相机时间响应特性的方法.研究表明,当外界光照条件大于10-4 lx时,阴极电压衰减时间由80~130 ms减小到50~60 ns,电子光学系统的横向位移受阴极电压衰减特性的影响减小,荧光屏亮度衰减时间由12~26 ms减小到了3~4 ms.研究结果证明了该方法能够有效地减小像增强器阴极电压衰减时间和荧光屏亮度衰减时间,为提高该类型相机静态成像质量提供参考.
微光夜视 像增强器直耦 像增强器 阴极电压 衰减时间 电子开关 Low light level night vision Image intensifier direct coupling Image intensifier Cathode voltage Attenuation characteristics Electronic switch 
光子学报
2014, 43(5): 0504003

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